CN115298916B 面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法 （国立大学法人京都大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115298916B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202180021422.5

(22)申请日2021.02.10

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115298916A

(43)申请公布日2022.11.04

(30)优先权数据

2020-0455732020.03.16JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.09.15

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2021/0051002021.02.10

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/186965JA2021.09.23

(73)专利权人国立大学法人京都大学地址日本京都府京都市

专利权人斯坦雷电气株式会社

(72)发明人野田进井上卓也小泉朋朗

江本渓

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127

专利代理师于英慧

(51)Int.CI.

H01S5/18(2021.01)

H01L21/205(2006.01)

(56)对比文件

WO2020050130A1,2020.03.12

JP2007180120A,2007.07.12

WO2019124312A1,2019.06.27

CN108701965A,2018.10.23

审查员张雯

权利要求书2页说明书19页附图21页

(54)发明名称

面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法

(57)摘要

CN115298916B面发射激光元件具有：第一引导层，其具有光子晶体层和嵌入层，该光子晶体层形成在第三族氮化物半导体的c面上，且具有在与层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔，该嵌入层形成在该光子晶体层上并封闭上述气孔；有源层，其形成在第一引导层上；以及第二引导层，其形成在有源层上，在与上述光子晶体层平行的面内的各方形晶格点处配置有气孔组，该气孔组至少

CN115298916B

CN115298916B权利要求书1/2页

2

1.一种面发射激光元件，其由第三族氮化物半导体构成，并具有：

第一引导层，其具有光子晶体层和嵌入层，该光子晶体层形成在第三族氮化物半导体的c面上，且具有在与层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔，该嵌入层形成在所述光子晶体层上并封闭所述气孔；

有源层，其形成在所述第一引导层上；以及

第二引导层，其形成在所述有源层上，

在与所述光子晶体层平行的面内的各方形晶格点处配置有气孔组，所述气孔组至少包括主气孔以及气孔直径和深度比所述主气孔小的副气孔，

所述主气孔和所述副气孔的嵌入封闭面在所述光子晶体层中位于靠近所述有源层的

一侧，

所述主气孔具有长轴与11-20轴平行的正六棱柱形状、扁六棱柱形状或椭圆柱形状。

2.根据权利要求1所述的面发射激光元件，其中，

所述副气孔具有长轴与11-20轴平行的正六棱柱形状、扁六棱柱形状或椭圆柱形状。

3.根据权利要求1所述的面发射激光元件，其中，

所述主气孔和副气孔具有长轴与11-20轴平行的正六棱柱形状。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的面发射激光元件，其中，

所述副气孔配置在所述副气孔的重心与所述主气孔的重心在1-100方向上间隔开的位置上。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的面发射激光元件，其中，

所述气孔组配置在彼此正交且相对于11-20轴和1-100轴具有45°的角度的x方向和y方向上，

所述副气孔相对于所述主气孔的相对位置△x和△y满足△x=△y,且将该方形晶格的周期设为PC,设△x=△y=d×PC时，满足0.06≤d≤0.28或0.40≤d≤0.47。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的面发射激光元件，其中，

所述主气孔和所述副气孔具有侧面为m面的六棱柱形状。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的面发射激光元件，其中，

在将所述光子晶体层中的所述主气孔和所述副气孔的气孔填充率设为FF1和FF2时，气孔填充率比RF=FF1/FF2满足1.7≤RF≤7.5。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的面发射激光元件，其中，

所述引导层为GaN层，

所述嵌入层具有作为GaN层的第一嵌入层、以及形成在所述第一嵌入层上且成分中包含In(铟)的第二嵌入层。

9.一种面发射激光元件的制造方法，该面发射激光元件由第三族氮化物半导体构成，所述制造