2025年（微电子科学与工程）集成电路工艺试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程）集成电路工艺试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每题2分。在每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.集成电路制造中，光刻的主要作用是

A.定义器件结构B.掺杂杂质C.形成金属互连D.生长半导体薄膜

2.以下哪种材料常用于集成电路的栅极

A.硅B.二氧化硅C.多晶硅D.氮化硅

3.在CMOS工艺中，P型晶体管的源极和漏极是通过什么方式形成的

A.离子注入B.扩散C.光刻D.外延生长

4.集成电路制造中，化学气相沉积（CVD）主要用于

A.形成绝缘层B.掺杂C.光刻图形转移D.去除杂质

5.以下哪种光刻技术分辨率最高

A.紫外光刻B.深紫外光刻C.极紫外光刻D.电子束光刻

6.集成电路中的互连金属通常采用

A.铝B.铜C.金D.银

7.在集成电路制造中，退火的目的是

A.消除应力B.掺杂激活C.提高光刻分辨率D.去除光刻胶

8.以下哪种工艺用于形成集成电路中的浅沟槽隔离（STI）

A.光刻+蚀刻B.氧化C.扩散D.离子注入

9.集成电路制造中，湿法刻蚀的优点不包括

A.选择性好B.成本低C.分辨率高D.工艺简单

10.对于CMOS工艺，N型晶体管的阈值电压主要由什么决定

A.栅氧化层厚度B.沟道掺杂浓度C.源漏掺杂浓度D.衬底掺杂浓度

11.集成电路制造中，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的特点是

A.沉积温度低B.沉积速率慢C.膜质量差D.选择性差

12.以下哪种技术可用于提高集成电路的集成度

A.缩小器件尺寸B.增加芯片面积C.降低电源电压D.提高工作频率

13.在集成电路制造中，光刻胶的作用是

A.保护衬底B.作为掺杂源C.定义光刻图形D.形成金属互连

14.集成电路中的CMOS反相器由

A.一个P型晶体管和一个N型晶体管组成B.两个P型晶体管组成C.两个N型晶体管组成D.一个二极管和一个晶体管组成

15.集成电路制造中，离子注入的目的是

A.掺杂B.去除杂质C.形成绝缘层D.光刻图形转移

16.以下哪种材料可作为集成电路的衬底

A.硅B.二氧化硅C.氮化硅D.多晶硅

17.在集成电路工艺中，化学机械抛光（CMP）主要用于

A.平坦化表面B.掺杂C.光刻D.去除杂质

18.集成电路制造中，光刻的分辨率主要受什么限制

A.光刻设备精度B.光刻胶性能C.光源波长D.以上都是

19.对于CMOS工艺，P型晶体管的衬底偏置效应会使阈值电压

A.升高B.降低C.不变D.先升高后降低

20.集成电路制造中，以下哪种工艺用于形成金属互连线的接触孔

A.光刻+蚀刻B.氧化C.扩散D.离子注入

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

1.简答题（共20分）

-（1）简述集成电路制造中光刻的基本原理和工艺流程。（5分）

_光刻是通过光刻胶将掩膜版上的图形转移到半导体衬底上的工艺。基本原理是利用光刻胶对特定波长光的感光特性，经过曝光、显影等步骤，使光刻胶形成与掩膜版图形一致的图案，从而定义器件结构。工艺流程包括涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等步骤。_

-（2）说明CMOS工艺中P型晶体管和N型晶体管的工作原理。（5分）

_P型晶体管工作时，当栅极电压为高时，在栅极下方形成反型层，源极和漏极之间通过反型层导通，电流从源极流向漏极。N型晶体管工作时，栅极电压为高时，同样在栅极下方形成反型层使源漏导通，电流从漏极流向源极。通过改变栅极电压可以控制晶体管的导通和截止，实现逻辑功能。_

-（3）解释化学气相沉积（CVD）在集成电路制造中的作用及常用的CVD技术有哪些。（5分）

_CVD用于在半导体衬底上沉积各种薄膜，如绝缘层、半导体层等。作用是形成器件所需的各种功能薄膜。常用的CVD技术有常压化学气相沉积（APCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等。_

-（4）阐述集成电路制造中互连金属铜相对于铝的优势。（5分）

_铜的电阻率比铝低，可降低互连电阻，提高电路性能和速度。铜的抗电迁移能力比铝强，能提高互连的可靠性，减少因电迁移导致的互连失效。此外，铜与二氧化硅等绝缘层的粘附性较好，有利于形成高质量的互连结构。_

2.论述题（共20分）

-（1）随着集成电路技术的不断发展，器件尺寸不断缩小，会面临哪些挑