2025年（微电子科学与工程）集成电路原理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程）集成电路原理试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.集成电路设计中，以下哪种电路结构常用于实现逻辑门功能？（）

A.组合逻辑电路

B.时序逻辑电路

C.模拟电路

D.数字-模拟混合电路

2.MOS管的阈值电压是指（）

A.开启电流达到一定值时的栅源电压

B.截止电流为零时的栅源电压

C.沟道形成时的栅源电压

D.漏源电流达到最大值时的栅源电压

3.在集成电路制造工艺中，光刻的主要作用是（）

A.定义晶体管的尺寸和形状

B.形成金属互连层

C.掺杂杂质原子

D.去除多余的半导体材料

4.以下哪种材料常用于集成电路的衬底？（）

A.硅

B.铜

C.金

D.玻璃

5.集成电路中的功耗主要来自于（）

A.静态功耗

B.动态功耗

C.静态功耗和动态功耗

D.电源内阻消耗

6.对于CMOS反相器，其输出高电平约为（）

A.0V

B.VDD

C.VDD/2

D.不确定

7.在集成电路设计中，版图设计的目的是（）

A.确定电路的逻辑功能

B.规划芯片的物理布局和互连

C.进行电路仿真

D.测试芯片性能

8.集成电路制造中，掺杂的目的是（）

A.改变半导体的导电类型

B.提高半导体的导电性

C.形成PN结

D.以上都是

9.以下哪种逻辑门可以实现“有1出0，全0出1”的功能？（）

A.与门

B.或门

C.非门

D.与非门

10.集成电路的发展趋势不包括（）

A.更小的特征尺寸

B.更高的集成度

C.更低的功耗

D.更大的芯片面积

11.（多选）以下属于集成电路设计流程的有（）

A.系统设计

B.逻辑设计

C.版图设计

D.工艺设计

12.（多选）MOS管的三个工作区域包括（）

A.截止区

B.线性区

C.饱和区

D.击穿区

13.（多选）集成电路制造工艺中的薄膜生长方法有（）

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.分子束外延

D.离子注入

14.（多选）数字集成电路的优点有（）

A.抗干扰能力强

B.便于大规模集成

C.功耗低

D.速度快

15.（多选）以下哪些因素会影响集成电路的性能（）

A.晶体管尺寸

B.电源电压

C.工艺偏差

D.封装形式

16.（判断）集成电路中，CMOS工艺比TTL工艺功耗更低。（）

17.（判断）MOS管的源极和漏极在电气性能上是完全相同的。（）

18.（判断）光刻分辨率越高，集成电路的性能越好。（）

19.（判断）集成电路设计中，逻辑综合的目的是将行为描述转化为门级网表。（）

20.（判断）集成电路制造过程中，退火工艺可以消除杂质原子引入的晶格缺陷。（）

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

1.简述CMOS反相器的工作原理。（5分）

___

2.在集成电路设计中，如何降低功耗？（5分）

___

3.说明集成电路制造工艺中氧化工艺的作用。（5分）

___

4.画出一个简单的2输入与门的逻辑电路图，并说明其功能。（5分）

___

答案

第I卷

1.A

2.C

3.A

4.A

5.C

6.B

7.B

8.D

9.D

10.D

11.ABCD

12.ABC

13.ABC

14.ABD

15.ABC

16.√

17.×

18.√

19.√

20.√

第Ⅱ卷

1.CMOS反相器由一个PMOS管和一个NMOS管组成。当输入为低电平时，NMOS管截止，PMOS管导通，则输出为高电平；当输入为高电平时，NMOS管导通，PMOS管截止，则输出为低电平，实现了反相功能。

2.可以采用低功耗工艺技术，降低电源电压，优化电路结构减少不必要的翻转，合理设计晶体管尺寸，采用电源管理技术如动态电压缩放等方式来降低集成电路功耗。

3.氧化工艺可在半导体表面生长一层高质量的二氧化硅薄膜。它可作为器件的绝缘层，用于隔离不同的器件区域；也可作为杂质扩散的掩膜，精确控制杂质的扩散区域；还能改善半导体表面特性，提高器件的稳定性和可靠性。

4.逻辑电路图：两个输入A、B分别连接到两个NMOS管的栅极，两个NMOS管的源极接地，漏极连接在一起作为输出Y，同时连接一个PMOS管，其源极接电源VDD，栅极连接在一起并与输入A、B通过一个与逻辑相连（即A和B都为高电平时该与逻辑输出高电平控制PMOS管导通）。功能：当A和B都为高电平时，Y输出高电平