同质外延氧化镓薄膜与铝铟氧薄膜：制备工艺与材料特性的深度剖析.docxVIP

同质外延氧化镓薄膜与铝铟氧薄膜：制备工艺与材料特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子技术中扮演着举足轻重的角色。从日常使用的电子设备到高端的通信、能源、医疗等领域，半导体材料的性能直接影响着相关技术的发展和应用。在众多半导体材料中，氧化镓（Ga_2O_3）和铝铟氧（Al_{2x}In_{2(1-x)}O_3）薄膜因其独特的物理性质和潜在的应用价值，逐渐成为研究的热点。

氧化镓作为一种新兴的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大（约4.8-4.9eV）、击穿场强高（可达8MV/cm）、电子饱和漂移速度快等优点。这些优异的特性使得氧化镓在功