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2025年氧化工艺证考试题库及答案

一、单选题（每题1分，共40分，每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）

1.在氧化工艺中，下列哪一项不是影响氧化速率的主要因素（）

A.反应温度

B.氧气分压

C.晶圆掺杂浓度

D.氧化炉管壁厚度

答案：D

2.干氧氧化与湿氧氧化相比，其突出优点是（）

A.氧化速度快

B.氧化层致密

C.设备成本低

D.工艺温度低

答案：B

3.采用湿氧氧化制备1μmSiO?所需时间约为干氧氧化的（）

A.1/2

B.1/5

C.1/10

D.1/20

答案：C

4.在DealGrove模型中，线性速率常数B/A与温度的关系符合（）

A.指数衰减

B.线性增长

C.阿伦尼乌斯关系

D.对数关系

答案：C

5.氧化层厚度超过200nm后，主导氧化速率的步骤是（）

A.表面反应

B.氧分子扩散

C.氧离子漂移

D.硅原子扩散

答案：B

6.下列哪种杂质在SiO?中的分凝系数最小（）

A.硼

B.磷

C.砷

D.锑

答案：A

7.氧化过程中产生“氧化堆垛层错”(OSF)的根本原因是（）

A.金属污染

B.氧空位过饱和

C.硅自间隙原子过饱和

D.热应力

答案：C

8.快速热氧化(RTO)采用的主要加热方式是（）

A.电阻丝辐射

B.卤素灯辐射

C.微波耦合

D.激光扫描

答案：B

9.在氧化层中测量固定电荷密度Qf，常用的CV测试频率为（）

A.10Hz

B.1kHz

C.100kHz

D.1MHz

答案：D

10.氧化层中可动离子电荷主要来源于（）

A.钠离子

B.钾离子

C.钙离子

D.铝离子

答案：A

11.采用分压氧化技术可显著降低氧化层中的（）

A.固定电荷

B.界面态密度

C.氧化层陷阱

D.金属杂质

答案：B

12.氧化后退火(POA)在N?中进行的主要目的是（）

A.增加厚度

B.降低界面态

C.提高介电常数

D.减少针孔

答案：B

13.在氧化层厚度5nm的超薄区，DealGrove模型出现偏差的主要原因是（）

A.应力释放

B.量子隧穿

C.初始快速氧化

D.氧溶解度下降

答案：C

14.氧化层针孔密度测试常用的腐蚀液为（）

A.HF∶H?O=1∶1

B.HF∶NH?F=1∶7

C.铬酸+HF

D.硝酸+醋酸

答案：C

15.氧化层介电强度典型值为（）

A.1MV/cm

B.5MV/cm

C.10MV/cm

D.15MV/cm

答案：C

16.氧化层折射率n@632nm约为（）

A.1.46

B.1.50

C.1.54

D.1.58

答案：A

17.采用椭偏仪测量氧化层厚度时，ΨΔ模型中需输入的首要参数是（）

A.硅衬底电阻率

B.氧化层孔隙率

C.氧化层光学常数

D.环境温度

答案：C

18.氧化层中应力为压应力时，其数值典型为（）

A.?10MPa

B.?100MPa

C.?300MPa

D.?1GPa

答案：C

19.氧化层作为栅氧时，其缺陷密度要求（）

A.0.1/cm2

B.1/cm2

C.10/cm2

D.100/cm2

答案：A

20.氧化层中水分子扩散激活能约为（）

A.0.3eV

B.0.8eV

C.1.2eV

D.2.0eV

答案：B

21.氧化层中氧扩散系数D与温度T的关系式为D=D?exp(?Ea/kT)，其中Ea≈（）

A.1.23eV

B.1.17eV

C.2.0eV

D.2.5eV

答案：B

22.氧化层厚度均匀性通常要求1σ≤（）

A.0.1%

B.0.5%

C.1%

D.5%

答案：C

23.氧化层在HF中的腐蚀速率随温度升高而（）

A.线性下降

B.指数上升

C.先升后降

D.不变

答案：B

24.氧化层中磷掺杂后，其介电常数将（）