CN112713151B 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 （北极星特许集团有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112713151B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202011119578.0

(22)申请日2020.10.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112713151A

(43)申请公布日2021.04.27

(30)优先权数据

16/664,6182019.10.25US

(73)专利权人北极星特许集团有限责任公司地址美国伊利诺伊州

(72)发明人胡怡H·N·贾殷M·J·金

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师王龙

(51)Int.CI.

H10B41/35(2023.01)

H10B41/20(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/20(2023.01)

(56)对比文件

US9748264B1,2017.08.29

US2016225697A1,2016.08.04审查员盛浩

权利要求书3页说明书11页附图38页

(54)发明名称

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

(57)摘要

CN112713151B本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，其各自包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料横向处于所述存储器块中横向紧邻的存储器块之间并且纵向沿着所述横向紧邻的存储器块。所述居间材料包括纵向交替的第一区和第二区，所述第一区和第二区各自在其中具有竖直拉长的接缝。所述竖直拉长的接缝的顶部在所述第一区中比在所述第二区中更高。所述第二区中的所述接缝顶部与所述导电层的最上部的底

CN112713151B

CN112713151B权利要求书1/3页

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1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：

横向间隔开的存储器块，其各自包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；和

居间材料，其横向处于所述存储器块中横向紧邻的存储器块之间并且纵向沿着所述横向紧邻的存储器块，所述居间材料包括纵向交替的第一区和第二区，所述第一区和第二区各自在其中具有竖直拉长的接缝，所述竖直拉长的接缝的顶部在所述第一区中比在所述第二区中更高，所述第二区中的所述接缝顶部与所述导电层的最上部的底部竖向重合或在所述导电层的最上部的底部下方。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二区中的所述接缝顶部与所述最上部导电层的所述底部竖向重合。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二区中的所述接缝顶部在所述最上部导电层的所述底部下方。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述第二区中的所述接缝顶部处于所述堆叠的最上半部中。

5.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述第二区中的所述接缝顶部处于所述堆叠的最下半部中。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一区中的所述竖直拉长的接缝比所述第二区中的所述竖直拉长的接缝高。

7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一区和第二区中的所述竖直拉长的接缝各自包括至少一个空隙空间。

8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一区和第二区中的所述竖直拉长的接缝各自包括多个竖直间隔开的空隙空间。

9.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一区和第二区中的所述竖直拉长的接缝各自包括仅一个空隙空间。

10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述居间材料包括横向最外绝缘材料和具有与所述横向最外绝缘材料的组成不同的组成的横向内部材料，所述第一区和第二区中的所述竖直拉长的接缝处于所述横向内部材料中。

11.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述横向内部材料是绝缘的。

12.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述居间材料在所述横向紧邻的存储器块之间的各处都是绝缘的。

13.根据权利要求1所述的存储器阵列，其包括所述堆叠内的绝缘桥接件，所述绝缘桥接件横向在所述存储器块中横向紧邻的存储器块之间延伸并且沿着所述横向紧邻的存储器块纵向间隔开，所述绝缘桥接件在所述第二区中的所述接缝顶部上方间隔开，所述