电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全.docxVIP

前言

《电子线路（线性部分）》作为电子信息类专业的核心课程教材，谢嘉奎教授主编的第四版以其系统性强、论述严谨、深入浅出的特点，深受广大师生的青睐。本复习资料旨在帮助同学们梳理教材核心知识点，巩固基础理论，掌握分析方法，提升解决实际问题的能力。资料力求贴合教材脉络，突出重点，解析难点，希望能成为大家复习备考路上的得力助手。复习时，建议将本资料与教材、课堂笔记及习题紧密结合，做到融会贯通。

第一章半导体器件基础

核心概念回顾

本章是线性电子线路的基石，重点在于理解半导体的导电特性及常用半导体器件的工作原理、特性曲线和主要参数。

1.半导体物理基础：

*本征半导体：纯净半导体，载流子为电子和空穴，浓度相等，导电性差。

*杂质半导体：P型（空穴为多数载流子）和N型（电子为多数载流子）半导体的形成机理及导电特点。

*PN结：P型和N型半导体交界面形成的空间电荷区，是二极管、三极管等器件的基本结构。其核心特性是单向导电性——正向偏置时导通，反向偏置时截止（忽略反向饱和电流）。理解PN结的形成过程（载流子扩散与漂移的动态平衡）是掌握其特性的关键。

2.半导体二极管：

*二极管的伏安特性：重点掌握正向特性（死区电压、正向导通压降、正向电阻）和反向特性（反向饱和电流、反向击穿现象与分类：齐纳击穿和雪崩击穿）。

*主要参数：最大整流电流IF、最高反向工作电压URM、反向饱和电流IS、动态电阻rd等，这些参数是器件选型和电路设计的依据。

*理想二极管模型与恒压降模型：在近似分析中，理想二极管正向导通时压降为0，反向截止时电流为0；恒压降模型则认为正向导通压降为一固定值（如硅管约0.7V，锗管约0.3V）。

*特殊二极管：稳压二极管（利用反向击穿区电压基本恒定的特性实现稳压，应工作在反向击穿状态并串联限流电阻）、发光二极管（LED）、光电二极管等的工作原理与典型应用。

重点与难点解析

*PN结的单向导电性：这是本章的核心，务必从载流子运动的微观角度理解其正向导通、反向截止的物理过程。理解内电场的变化是关键。

*二极管伏安特性的数学表达式：即肖克利方程，需了解其物理意义，以及温度对其特性的影响。

*二极管电路的分析方法：主要是图解法和模型分析法（理想模型、恒压降模型、折线模型）。在实际电路分析中，根据精度要求选择合适的模型至关重要。

复习建议

*熟练掌握PN结的工作原理，这是理解后续所有半导体器件的基础。

*能够根据二极管的伏安特性曲线解释其工作状态，并能运用合适的模型分析简单的二极管电路（如整流、限幅、钳位电路）。

*记住几种典型二极管（普通整流管、稳压管、LED）的主要特点和应用场景。

第二章基本放大电路

核心概念回顾

放大电路是线性电子线路的核心内容，本章主要讨论由晶体管（BJT）和场效应管（FET）构成的基本放大电路。

1.放大电路的基本概念：

*放大的本质：利用有源器件（晶体管、FET）的控制作用，将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律变化的输出能量。

*主要性能指标：电压放大倍数Av、电流放大倍数Ai、功率放大倍数Ap、输入电阻Ri（影响放大电路从信号源获取信号的能力）、输出电阻Ro（影响放大电路带负载的能力）、通频带BW等。

*放大电路的组成原则：保证有源器件工作在放大区（BJT的发射结正偏、集电结反偏；FET的栅源电压使其工作在恒流区）；输入信号能有效加在有源器件的控制端；输出信号能有效传递给负载。

2.BJT及其基本放大电路：

*BJT的三种组态：共发射极（CE）、共集电极（CC，射极跟随器）、共基极（CB）。需掌握每种组态的电路结构、电流关系（IE=IB+IC，IC≈βIB）、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及各自的应用特点。

*CE组态：电压、电流增益均较大，输入输出反相，输入电阻适中，输出电阻较大，应用广泛。

*CC组态：电压增益≈1，电流增益较大，输入电阻高，输出电阻低，带负载能力强，常用作输入级、输出级或缓冲级。

*CB组态：电压增益较大，电流增益≈1，输入电阻低，输出电阻高，高频特性好，常用作高频放大或宽频带放大。

*静态工作点（Q点）：指无输入信号时，晶体管各极的直流电压和电流值（IBQ,ICQ,UCEQ）。Q点的设置至关重要，它直接影响放大电路是否会产生非线性失真（截止失真、饱和失真）以及动态性能。

*Q点的稳定：温度变化会导致Q点漂移。常用的稳定措施有分压式偏置电路（带射极电阻Re和旁路电容Ce）。理解其稳定Q点的原理。

*图解分析法：用于分析静态工作点和动态工作情况，直观了解非线性失真。

*等效电路分析法：微变等效电路法是分析放大电