CN113454779B 具有耦合到载流子槽结构的晶体管主体区域的集成组合件；以及形成集成组合件的方法 （美光科技公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113454779B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202080014403.5

(22)申请日2020.03.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113454779A

(43)申请公布日2021.09.28

(30)优先权数据

62/814,6892019.03.06US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.08.13

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2020/0211152020.03.05

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2020/181049EN2020.09.10

(73)专利权人美光科技公司地址美国爱达荷州

(72)发明人K·M·考尔道刘海涛

D·V·N·拉马斯瓦米高云飞S·D·唐D·C·潘迪

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限

责任公司11287专利代理师王龙

(51)Int.CI.

H10B12/00(2023.01)

(56)对比文件

USB1,2018.06.26

US2002192901A1,2002.12.19

审查员方芳

权利要求书4页说明书13页附图45页

(54)发明名称

具有耦合到载流子槽结构的晶体管主体区域的集成组合件；以及形成集成组合件的方法

(57)摘要

CN113454779B一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有载流子槽结构，并且具有在所述载流子槽结构上方的数字线。晶体管主体区域位于所述数字线上方。延伸部从所述载流子槽结构延伸到所述晶体管主体区域。所述延伸部被配置成将过量载流子从所述晶体管主体区域排出。下部源极/漏极区域位于所述晶体管主体区域与所述数字线之间，并与所述数字线耦合。上部源极/漏极区域在所述晶体管主体区域上方，且与存储元件耦合。栅极邻近所述晶体管主体区域。所述晶体管主体区域、下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域一起包括多个晶体管。所述晶体管和所述

CN113454779B

CN113454779B权利要求书1/4页

2

1.一种集成组合件，其包括：

载流子槽结构；

在所述载流子槽结构上方的数字线；

在所述数字线上方的晶体管主体区域；

延伸部，其从所述载流子槽结构延伸到所述晶体管主体区域的至少垂直层级；所述延伸部被配置成将过量载流子从所述晶体管主体区域排出到所述载流子槽结构；

在所述晶体管主体区域与所述数字线之间的下部源极/漏极区域；所述下部源极/漏极区域与所述数字线耦合；

在所述晶体管主体区域上方的上部源极/漏极区域；

与所述上部源极/漏极区域耦合的存储元件；

邻近所述晶体管主体区域的栅极；以及

所述晶体管主体区域、下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域一起包括多个晶体管；所述晶体管和所述存储元件一起由存储器阵列的多个存储器单元组成。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构耦合到电压源，所述电压源被配置成向所述载流子槽结构提供参考电压。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中在所述晶体管主体区域的操作期间，所述载流子槽结构保持在恒定偏压。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述晶体管主体区域在垂直延伸的半导体

柱内。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述数字线沿第一方向延伸；并且其中所述下部源极/漏极区域、所述晶体管主体区域和所述上部源极/漏极区域沿与所述第一方向正交的横截面都具有彼此相同的宽度。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述数字线沿第一方向延伸；并且其中所述下部源极/漏极区域相对于所述晶体管主体区域和所述上部源极/漏极区域沿与所述第一方向正交的横截面具有不同的宽度。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述存储元件是电容器。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述存储器单元是单晶体管单电容器(1T-1C)存储器单元。

9.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述存储器单元是双晶体管单电容器(2T-1C)存储器单元。

10.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构是p型。

11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构是n型。

12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构包括用p型掺杂剂或n型掺杂剂掺杂到至少1×10