CN112840473B 形成有机-无机金属卤化物钙钛矿的晶体或多晶层的方法 (牛津光伏有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.5万字
  • 约 54页
  • 2026-01-23 发布于重庆
  • 举报

CN112840473B 形成有机-无机金属卤化物钙钛矿的晶体或多晶层的方法 (牛津光伏有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112840473B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号201980067239.1

(22)申请日2019.09.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112840473A

(43)申请公布日2021.05.25

(30)优先权数据

1815547.32018.09.24GB

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.04.12

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/GB2019/0526692019.09.23

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2020/065282EN2020.04.02

(73)专利权人牛津光伏有限公司地址英国牛津郡

(72)发明人A·E·泰勒L·米兰达佩雷斯

(74)专利代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280

专利代理师郭广迅

(51)Int.CI.

H10K71/00(2023.01)

H10K30/40(2023.01)

H10K30/50(2023.01)

H10K85/50(2023.01)

(56)对比文件

CN107075657A,2017.08.18

CN108435514A,2018.08.24

审查员韩婷

权利要求书3页说明书11页附图14页

(54)发明名称

形成有机-无机金属卤化物钙钛矿的晶体或多晶层的方法

(57)摘要

本发明提供一种形成有机-无机金属卤化物

钙钛矿材料的晶体或多晶层的方法,所述有机-无机金属卤化物钙钛矿材料包含由式AMX?表示的三维晶体结构,其中A代表有机阳离子或两种或更多种不同阳离子的混合物,其中至少一种是有机阳离子,M代表二价金属阳离子或两种或更多种不同的二价金属阳离子的混合物,并且X代表相同或不同的卤化物阴离子,所述方法包括以下步骤:(i)在衬底的表面上形成第一层,所述第一层包含具有平面的、层状的二维晶体结构的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料;(ii)使所述第

m一层与一种或多种有机卤化物反应以形成包含 具有式AMX?的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料品的晶体或多晶层。还提供一种光电或光伏设备, 其包含活性层,所述活性层包含有机-无机金属台卤化物钙钛矿材料,所述有机-无机金属卤化物钙钛矿材料包含由式AMX?表示的三维晶体结构,

其中所述材料可使用上述定义的方法获得。

A

AX

转化反应步粱

3D钙钛矿

2D钙钛矿

CN112840473B权利要求书1/3页

2

1.一种形成有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的晶体层的方法,所述有机-无机金属卤化物钙钛矿材料包含由式AMX?表示的三维晶体结构,

其中A代表有机阳离子或两种或更多种不同阳离子的混合物,所述混合物中的至少一种是有机阳离子,

M代表二价金属阳离子或两种或更多种不同的二价金属阳离子的混合物,

并且X代表相同或不同的卤化物阴离子,

所述方法包括以下步骤:

(i)在衬底的表面上形成第一层,所述第一层包含具有平面的、层状的二维晶体结构的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料,

(ii)使所述第一层与一种或多种有机卤化物反应以形成包含具有式AMX?的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的晶体层。

2.根据权利要求1的形成有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的晶体层的方法,其中,步骤(ii)包括

a)在所述第一层上沉积包含一种或多种有机卤化物的材料;和

b)使所述第一层和沉积在其上的材料反应以形成包含具有式AMX?的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的晶体层。

3.根据权利要求1或2的方法,其中,在步骤(i)中,所述第一层包含具有选自以下的式的材料:L?Ln-1MX?n+1、L?K-1MX?n+3、LLn-1MX?n+1或L?LMX3n+2,其中L和L’代表相同或不同的有机或无机阳离子,K代表有机阳离子且与L不同,M代表二价金属阳离子或两种或更多种不同的二价金属阳离子,并且X代表相同或不同的卤化物阴离子。

4.根据权利要求3的方法,其中,L、L’和K独立地选自:萘基乙基铵、正丙基铵、苄基铵、苯基铵、正戊基铵、2-噻吩乙基铵、叔丁基铵、二乙基铵、异丁基铵、环己基铵、环己基甲基铵、乙基铵、1,4-丁烷二铵和胱胺二氢化物。

5.根据权利要求1或2的方法,其中,所述

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档