CN113078153B 半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113078153B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202110060401.6

(22)申请日2021.01.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113078153A

(43)申请公布日2021.07.06

(30)优先权数据

63/010,8342020.04.16US17/021,7652020.09.15US

(51)Int.CI.

H10D84/85(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

(56)对比文件

US2015200299A1,2015.07.16审查员毛悦

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人钟政庭程冠伦

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

权利要求书3页说明书12页附图19页

(54)发明名称

半导体器件及其形成方法

(57)摘要

CN113078153B(104根据本发明的半导体器件包括第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件，其各自

CN113078153B

(104

CN113078153B权利要求书1/3页

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1.一种半导体器件，包括：

第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件，分别包括外部衬垫层和内部填充层；

多个沟道构件，沿第一方向在所述第一源极/漏极外延部件与所述第二源极/漏极外延部件之间延伸；以及

栅极结构，设置在所述多个沟道构件的上方和周围，

其中，所述多个沟道构件与所述外部衬垫层接触并且与所述内部填充层间隔开，其中，所述外部衬垫层包括锗和第一元素，

其中，所述内部填充层包括锗和不同于所述第一元素的第二元素，所述第一元素和所述第二元素在周期表的IIIA族中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一元素在锗中的扩散率低于所述第二元素。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二元素的原子量大于所述第一元素的原子量。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层和所述内部填充层中的至少一个还包括锡。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个内部间隔部件，其中，所述多个沟道构件沿垂直于所述第一方向的第二方向与多个内部间隔部件交错。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层在所述多个内部间隔部件的上方合并，并且所述多个内部间隔部件与所述内部填充层间隔开。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层没有在所述多个内部间隔部件的上方合并，并且所述多个内部间隔部件与所述内部填充层接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层包括5x1019原子/cm3至5x1020原子/cm3之间的硼掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部填充层包括3x1020原子/cm3至1x1021原子/cm3之间的镓掺杂浓度。

10.一种半导体器件，包括：

第一源极/漏极部件，包括第一外部外延部件和在所述第一外部外延部件的上方的第一内部外延部件；

第二源极/漏极部件，包括第二外部外延部件和在所述第二外部外延部件的上方的第二内部外延部件；

多个含锗沟道构件，沿第一方向在第一外部外延部件与第二外部外延部件之间延伸并与第一外部外延部件和第二外部外延部件接触；以及

栅极结构，设置在所述多个含锗沟道构件的上方和周围，

其中，所述多个含锗沟道构件与所述第一内部外延部件和所述第二内部外延部件间隔

开，

其中，所述第一外部外延部件和所述第二外部外延部件包括第一p型掺杂剂，

其中，所述第一内部外延部件和所述第二内部外延部件包括与所述第一p型掺杂剂不

CN113078153B权利要求书2/3页

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同的第二p型掺杂剂。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一p型掺杂剂在锗中的扩散率小于所述第二p型掺杂剂在锗中的扩散率。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一内部外延部件和所述第二内部外延部件的电导率大于所述第一外部外延部件和所述第二外部外延部件的电导率。