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高频电子线路（第四版）课后习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、填空题（每空3分，共30分）

1.高频信号的主要特性包括频率高、波长短、趋肤效应显著以及______效应显著。

2.用于分析高频小信号放大器性能的等效模型主要是______模型。

3.谐振放大器利用______选择信号，并实现______。

4.影响放大器高频增益的主要因素包括晶体管的______、______以及电路的密勒效应。

5.振荡器能够产生______的信号，其平衡条件通常包括______条件和______条件。

6.调幅过程中，调制信号控制载波信号的______或______随调制信号变化。

7.接收机选择性指的是其抑制邻近频道干扰信号的能力，通常用______来衡量。

8.改变LC振荡电路的振荡频率，常用的方法有改变______或改变______。

9.噪声系数是衡量接收机或放大器______的参数，通常要求越小越好。

10.滤波器的作用是允许特定频率范围内的信号通过，同时抑制其他频率信号，根据通过频率不同可分为______、______、______和______滤波器。

二、简答题（每题5分，共20分）

1.简述高频信号传输线与低频信号传输线在特性上的主要区别。

2.简述单调谐放大器与双调谐放大器相比，在选择性方面的优势。

3.简述为什么在分析高频放大器时需要考虑晶体管的密勒效应？

4.简述调谐放大器与振荡器在电路结构和工作原理上的主要区别。

三、计算题（每题10分，共40分）

1.在某单管高频小信号放大电路中，使用晶体管工作在共发射极组态，其高频小信号模型参数为：rπ=1kΩ，rce=50kΩ，gm=2mA/V，β=100。放大电路的负载电阻RL通过一个电容CL（视为短路）连接到晶体管的输出端。试求该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro（假设信号源内阻为Rs=50Ω）。

2.有一单调谐放大器，其谐振回路电感L=100μH，谐振电容C=200pF，晶体管工作点确定其输入导纳Yin=(2+j0.5)mS。假设负载电阻RL通过一个电容CL=100pF连接到谐振回路两端。试求该放大器的谐振频率f?、品质因数QL（考虑负载）以及谐振时的电压增益Av?。

3.有一LC振荡器，采用哈特莱（Hartley）电路结构，其谐振回路的电感L1=L2=100μH，互感M=20μH，谐振电容C=100pF。试求该振荡器的振荡频率f?。

4.有一调幅信号，其载波电压uC(t)=10cos(2π×10^6t)V，调制信号uΩ(t)=1cos(2π×10^3t)V。试分别写出该信号在采用普通调幅（AM）和双边带抑制载波调幅（DSB-SC）方式下的时域表达式。

四、分析题（每题15分，共30分）

1.分析说明为什么在超外差接收机中，需要采用两次混频，并将中频选择在固定的较低频率（如455kHz）？

2.分析影响LC振荡器起振条件的因素有哪些？如果振荡器不能起振，可能的原因是什么？请说明至少三种可能的原因。

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试卷答案

一、填空题

1.辐射

2.混合π

3.谐振回路；增益

4.特征频率/fT；极间电容/Ce；或频率响应

5.稳定、持续、正弦（或周期性）；相位；幅度（或振幅）

6.频率；幅度（或振幅）

7.选择性衰落（或信噪比）

8.线圈电感L；电容C

9.稳定输出信号的质量（或信噪比）；或接收机的噪声性能

10.低通；高通；带通；带阻

二、简答题

1.解析思路：高频信号波长较短，传输线长度可能与波长相当甚至更长，导致信号传播不能忽略。传输线损耗随频率升高而增大，需要考虑导体损耗、介质损耗和辐射损耗。高频信号的集肤效应导致有效导电面积减小，电阻增大。电抗元件的寄生参数（如电感线圈的分布电容、电容器的分布电感）在高频下变得不可忽略，影响电路性能。

2.解析思路：双调谐放大器利用两个谐振回路分别对接收信号和邻近干扰信号进行选择性滤波。通过调节两个回路的谐振频率和耦合系数，可以使得对目标信号的选择性（通带锐度）远高于对邻近干扰信号的选择性，从而获得比单调谐放大器更高的选择性。

3.解析思路：晶体管的极间电容（如Cbe、Cbc）在高频下呈现低阻抗，相当于将输入信号源通过一个低阻抗并联到晶体管的输入端。根据密勒定理，这个输入电容会被放大到输入电阻（rπ）倍，形成密勒电容，显著增大输入回路的总电容，从而严重降低放大器的高频增益和带宽。因此，分析高频放大器时必须考虑密勒效应。

4.解析思路：调谐放大器的主