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模拟电子技术考试复习资料

各位同学，大家好。临近考试，这份模拟电子技术复习资料旨在帮助大家系统梳理核心知识点，巩固重点内容，提升应试能力。模拟电子技术内容繁多且抽象，需要我们在理解的基础上进行记忆和应用。这份资料将力求精炼，突出重点，希望能成为大家复习路上的得力助手。

一、半导体器件基础

半导体器件是构成各种模拟电路的基本单元，理解其工作原理和特性是学好模电的基石。

1.1二极管

*基本结构与工作原理：由PN结构成，具有单向导电性。重点理解PN结的形成（多子扩散、少子漂移达到动态平衡）、内建电场与势垒。

*伏安特性曲线：掌握其非线性特征，包括死区、正向导通区、反向截止区、反向击穿区（齐纳击穿与雪崩击穿的概念）。理解温度对伏安特性的影响（正向压降负温度系数，反向电流正温度系数）。

*主要参数：最大整流电流、反向工作峰值电压、反向峰值电流、正向压降、结电容等。这些参数直接关系到二极管在电路中的安全应用和性能表现。

*典型应用：整流（半波、全波、桥式）、限幅、钳位、开关、稳压（稳压二极管的特性及应用电路，强调其反向击穿区电流变化大而电压基本不变的特点）。

1.2双极型晶体管（BJT）

*类型与结构：NPN型和PNP型，三个电极（发射极E、基极B、集电极C），两个PN结（发射结、集电结）。理解其内部载流子的传输过程（发射区注入、基区复合与输运、集电区收集）。

*放大作用的内部条件：发射区掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电结面积大。外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。

*特性曲线：重点掌握共射极输入特性曲线（类似于二极管，有死区电压）和输出特性曲线（分为截止区、放大区、饱和区三个区域）。能够根据外部电压判断管子的工作区域。

*主要参数：电流放大系数（直流β、交流β）、极间反向电流（I_CBO、I_CEO，其大小反映了管子的热稳定性）、极限参数（I_CM、U_CEO、P_CM）。

*温度特性：温度对I_CBO、U_BE、β的影响，及其对静态工作点的影响。

1.3场效应管（MOSFET）

*类型与结构：绝缘栅型（MOSFET）是重点，分为N沟道和P沟道，每类又有增强型和耗尽型。理解其栅源电压控制漏极电流的原理（电场效应）。

*特性曲线：输出特性曲线（可变电阻区、恒流区、截止区）和转移特性曲线。掌握不同类型MOS管的开启电压或夹断电压的极性和典型范围。

*主要参数：开启电压（U_GS(th)）或夹断电压（U_GS(off)）、跨导（g_m）、输出电阻（r_ds）、最大漏极电流（I_DM）、最大漏源电压（U_DSM）、最大耗散功率（P_DM）。

*与BJT的比较：MOSFET是电压控制电流源（VCCS），输入电阻极高，热稳定性好，功耗较低，适合大规模集成；BJT是电流控制电流源（ICCS），跨导较大，驱动能力较强。

二、基本放大电路

放大电路是模拟电子技术的核心内容，其作用是将微弱的电信号不失真地放大到所需的幅度。

2.1放大电路的基本概念与性能指标

*放大的本质：利用有源器件（BJT或MOSFET）的控制作用，将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律变化的输出能量。

*性能指标：

*放大倍数（增益）：电压放大倍数（A_u）、电流放大倍数（A_i）、互阻放大倍数（A_r）、互导放大倍数（A_g）。重点是电压放大倍数。

*输入电阻（R_i）：衡量放大电路从信号源索取电流的能力，R_i越大越好。

*输出电阻（R_o）：衡量放大电路带负载能力，R_o越小越好。

*频率响应：通频带（f_BW）、上限截止频率（f_H）、下限截止频率（f_L）。

*非线性失真：产生原因及减小措施。

*最大输出幅度（U_om）：不产生明显失真时的最大输出电压（或电流）。

2.2基本组态放大电路

*BJT放大电路：共发射极、共集电极（射极跟随器）、共基极三种基本组态。

*共发射极电路：具有电压和电流放大作用，输入电阻适中，输出电阻较大，通频带相对较窄。是最常用的组态。

*共集电极电路：电压放大倍数约为1（跟随），电流放大作用，输入电阻高，输出电阻低。常用于输入级、输出级或缓冲级。

*共基极电路：具有电压放大作用，电流放大倍数约为1，输入电阻低，输出电阻较大，高频特性好。常用于高频放大或宽频带放大。

*分析方法：静态分析（估算法、图解法）确定静态工作点Q；动态分析（微变等效电路法）计算A_u、R_i、R_o。

*MOSFET放大电路：共源、共漏（源极跟随器）、共栅三种基本组态。分析方法与BJT类似，注意其低频小信号等效模型（主要是跨导g_m和输出电阻r_ds）。