14A 600V UFS系列沟道IT与反并联超快恢复二极管.pdfVIP

HGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DS,HGT1S7N60C3D

14A，600V，UFS系列带反并联超快恢复二极管的N沟道IGBT

概述特性

HGTP7N60C3D、HGT1S7N60C3DS和

HGT1S7N60C3D是结合了MOSFET和双极型晶体管最佳14A,600V在TC25°C600V开关区

特性的高压开关器件。这些器件具有MOSFET的高输入阻能力典型下降时间140ns在TJ

抗和双极型晶体管的低导通损耗。其较低的导通电压降在=150°C短路耐受能力低导通损耗超快速反并

25°C到150°C之间变化不大。使用的IGBT为开发型号联二极管

TA49115。与IGBT反并联使用的二极管为开发型号

TA49057。

IGBT非常适合许多需要在中等频率下运行的高压开关应用，这

些应用要求低导通损耗，例如：交流和直流电机控制、

电源以及电磁阀、继电器和接触器的驱动器。

原开发型号为TA49121。

HGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DS,HGT1S7N60C3D

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

GeneralDescriptionFeatures

TheHGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DSand

o

HGT1S7N60C3DareMOSedhighvoltageswitching14A,600VatTC25C

devicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsand

bipolartransistors.Thesedeviceshavethehighinput◼600VSwitchingSOACapability

impedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduction