车间硅芯拉制规程.pdfVIP

00晶年

120吨多硅/

整芯操作

理工序硅拉制规程

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核日月

审：编制期：年日

批准:生效日期:年月日

目录

1.装置情况概述

1.1装置生产任务

2.编写目的

3.位任务及位职责

3.1位任务

3.2位职责

4.术语定义

5.工艺原理及工艺流程图

5.1工艺原理

5.2工艺流程简述

5.3工艺流程简图

6.原辅料及产品质量标准、理化性质

6.1原辅料质量标准规（格指标）

6.2产品质量标准

6.3各物料的理化性质

7.工艺控制指标与消耗及主要设备作用、原理

7.1工艺技术指标及消耗（参数）

7.2主要设备一缆表见（附件）

7.3主要设备作用及原理

8.装置系统原始开车步骤

8.1装置系统开车前检查及确认准备

8.2单体试车（见附件）

8.3系统气密性试验及置换

9.装置系统正常开/停车步骤操（作规程）

9.1装置系统开车前检查及确认准备

9.2装置系统正常开车操作步骤

9.3开车后的正常操作与调整控制要点

9.4装置系统正常停车操作步骤

9.5装置系统紧急停车操作步骤

10.常见的故障及处理方法

11.装置系统安全防护措施

11.1装置系统安全注意事项

11.2装置系统安全防护措施

11.3装置系统应急处置预案

11.4装置系统冬季防冻预案

12.相关文件及记录表

1.装置情况概述

1.1装置生产任务

硅芯制备采用基座区熔法借助高频感应加热原理将多晶硅棒加热

熔化，在气氛保护下拉制出细硅芯。为多晶硅化学气相沉积时

(CVD)作载体用。

2.编写目的：

为规范生产运行过程管理，通过对确定的活动和任务实施控制，使

活动和任务在受控状态下进行，以实现健康、安全与环境目标。生产运

行过程包括组织提供产品、活动、服务的全部过程。

3,位任务及位职责

3.1位任务：

在安全的前提下保质保量完成硅芯拉制的任务；

3.2位职责：

4.术语定义

4.1分凝效应：熔体各部分杂质浓度相同，进行极其缓慢的所谓平衡

冷却。这样固液两相内部杂质原子通过扩散高速它们之间的浓度，但

实际中不可能实现平衡冷却而总有一定冷却速度。由于固相中的杂质

原子扩散速度很小，浓度高速缓慢，先凝固的与后凝固的固相杂质浓

度不同，晶体中各种杂质浓度不再均匀分布，有的地方杂质浓度低，

有地方杂质浓度高，这种由杂质偏析引起的分凝现象叫分凝效应。

4.2晶体生长:熔体中生长晶核中，熔体结晶开始。在单晶的成长过程

中，晶核出现后，立即进入长大阶段。从宏观上来看，晶体长大是晶

体界面向液相中推移。微观分析表明，晶体长大是液相原子扩散到固