黑磷材料的可控生长、掺杂调控及其光/电性能的关联性研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在材料科学不断演进的进程中,二维材料凭借其独特的原子结构和卓越的物理性质,成为了科学界和工业界共同瞩目的焦点。其中,黑磷作为一种新兴的二维材料,自被发现以来,便因其在光/电领域展现出的巨大应用潜力而备受关注。黑磷具有诸多优异特性,为其在光/电领域的应用奠定了坚实基础。它是一种直接带隙半导体,其带隙可在0.3-2.0eV范围内随层数变化而精准调控,这一特性使得黑磷在不同波长的光电器件应用中具有极大优势,能够实现与不同谱段光波的高效耦合。例如,在中红外光电器件中,黑磷的直接带隙特性可有效促
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