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图形衬底上GaN材料的外延生长研究

摘要

本文聚焦于图形衬底上GaN材料的外延生长，通过创新的实验设计与多维度的分析手段，深入探究了不同图形衬底对GaN外延生长的影响机制。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在多种精心设计的图形化蓝宝石衬底上进行GaN外延生长实验。实验结果表明，图形衬底在调控GaN外延层位错密度、晶体取向以及应力分布等方面展现出独特优势，为提升GaN材料性能提供了新途径。通过对生长机理的深入剖析，揭示了图形衬底与GaN外延层之间的相互作用规律，为后续优化外延生长工艺和开发新型衬底结构奠定了理论基础。本研究为GaN基半导体器件性能的提升和应用领域的拓展提供了有力支撑。

关键词

图形衬底；GaN材料；外延生长；位错密度；晶体取向

一、引言

1.1GaN材料的重要性

GaN作为第三代半导体材料的杰出代表，以其宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等优异特性，在固态照明、电力电子、射频器件等众多前沿领域展现出巨大应用潜力。在固态照明方面，GaN基发光二极管（LED）凭借高效节能、长寿命、环保等优势，正逐步取代传统照明光源，引领照明行业的绿色革命。在电力电子领域，GaN功率器件能够显著降低能量损耗，提高系统效率，为新能源汽车、智能电网等新兴产业的发展提供关键技术支持。在射频器件方面，GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）可实现更高的工作频率和功率密度，有力推动5G通信及未来6G通信技术的发展。

1.2传统衬底用于GaN外延生长的挑战

尽管GaN材料前景广阔，但其外延生长面临诸多挑战。目前，GaN基半导体器件外延生长主要依赖蓝宝石、SiC和Si等异质衬底。然而，这些异质衬底与GaN外延层之间存在较大晶格失配和热失配。以常用的蓝宝石衬底为例，其与GaN的晶格失配率高达16%，热膨胀系数差异也较大。这种失配导致外延生长过程中，GaN外延层内产生高密度位错及较大失配应力。位错如同材料内部的“缺陷通道”，会严重影响载流子传输效率，增加非辐射复合中心，降低器件内量子效率。同时，失配应力可能引发外延层开裂、翘曲等问题，严重制约器件性能和可靠性，成为阻碍GaN材料广泛应用的关键瓶颈。

1.3图形衬底技术的兴起

为突破传统衬底限制，图形衬底技术应运而生并迅速成为研究热点。图形衬底通过在衬底表面构建特定形状、尺寸和周期的微纳结构，改变GaN外延生长的初始条件和生长环境，进而调控外延层的生长行为。图形衬底可有效降低GaN外延层位错密度，改善晶体质量，提升内量子效率。同时，其独特的微纳结构能够改变光在材料内部的传播路径，增强光提取效率。研究表明，采用图形衬底技术，可使GaN基LED的光输出功率提升数倍，展现出图形衬底技术在提升GaN材料性能方面的巨大潜力。

二、实验部分

2.1图形化蓝宝石衬底的制备

2.1.1光刻工艺

光刻工艺是图形化蓝宝石衬底制备的核心环节之一。首先，选取高质量2英寸蓝宝石衬底，依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗，以彻底去除表面杂质，确保衬底表面清洁度。随后，在洁净的蓝宝石衬底表面均匀旋涂光刻胶，通过精确控制旋涂速度和时间，获得厚度约为500nm的光刻胶薄膜。接着，利用高精度光刻设备，将设计好的图形掩模版图案转移至光刻胶层。光刻过程中，严格控制曝光时间、曝光剂量和显影时间等参数，以确保光刻图形的精度和分辨率。对于本研究中的微米级图形，曝光时间控制在20-30秒，曝光剂量为150-200mJ/cm2，显影时间约为60秒。

2.1.2刻蚀工艺

刻蚀工艺用于将光刻胶上的图形精确转移至蓝宝石衬底。本研究采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，该技术能够实现高精度、高选择性刻蚀。刻蚀气体选用Cl?和BCl?混合气体，通过调节气体流量、射频功率和刻蚀时间来控制刻蚀速率和刻蚀深度。在优化的刻蚀条件下，Cl?流量为20-30sccm，BCl?流量为5-10sccm，射频功率为100-150W，刻蚀时间根据所需图形深度确定，一般在10-30分钟。经过刻蚀，成功在蓝宝石衬底表面形成具有特定形状和尺寸的凹槽状、圆孔状等图形结构。刻蚀完成后，使用去胶液去除残留光刻胶，再次对衬底进行超声清洗，得到洁净的图形化蓝宝石衬底。

2.2GaN外延生长实验

2.2.1MOCVD设备

采用先进的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备进行GaN外延生长。该设备配备高精度气体流量控制系统、温度控制系统和压力控制系统，能够精确控制外延生长过程中的各项参数。反应室采用水平式结构，以确保反应气体在衬底表面均匀分布。加热系统采用电阻加热方式，可实现快速升温与降温，并精确控制反应温度。

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