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升华法生长AlN体单晶的技术探索与问题剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为关键基础，始终处于科研与产业创新的前沿地带。其中，氮化铝（AlN）体单晶凭借其一系列卓越的物理性质，在光电子、电力电子以及传感器等众多领域展现出巨大的应用潜力，成为材料科学领域的研究焦点之一。

AlN晶体属于六方晶系，具有高达6.2eV的直接带隙，这使其在深紫外光电器件应用中独具优势。例如，在深紫外发光二极管（DUV-LED）领域，AlN体单晶作为衬底材料，与传统衬底相比，能够显著提升器件的发光效率和稳定性。由于其宽禁带特性，AlN基DUV-LED可以发射出波