CN118353454A 一种汞离子微波频标装置和制作方法 （北京无线电计量测试研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118353454A

(43)申请公布日2024.07.16

(21)申请号202410403303.1

(22)申请日2024.04.03

(71)申请人北京无线电计量测试研究所

地址100854北京市海淀区142信箱408分

箱

(72)发明人王暖让薛潇博张升康

(74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司

11257

专利代理师张帆

(51)Int.Cl.

H03L7/26(2006.01)

G01J1/44(2006.01)

G01J11/00(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种汞离子微波频标装置和制作方法

(57)摘要

本发明公开一种汞离子微波频标装置和制

作方法，该装置包括离子阱，用于为装置提供离

子产生和冷却的空间；缓冲气体冷却结构，用于

冷却离子；汞灯，用于照射离子完成态的制备；光

路控制结构，用于扫描微波探测荧光的变化，获

取光子计数值；处理器，基于所述光子计数值获

取汞离子的跃迁谱线，通过PID运算，得到误差电

压。本发明采用飞秒激光脉冲与离子阱内真空腔

相互作用形成微纳复合结构，降低了入射光子的

光反射与漫反射，降低了背景信号的光子数；采

用新型的汞灯作为抽运谱灯，既增加了汞灯的寿

命，又使得离子阱内杂散谱线的种类和光强大幅

A度减少，降低了背景信号的光子数，提高了汞离

4子微波频标的信噪比。

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C

CN118353454A权利要求书1/1页

1.一种汞离子微波频标装置，其特征在于，该装置包括离子阱、汞灯、光路控制结构、缓

冲气体冷却结构和处理器，其中，

所述离子阱，用于为装置提供离子产生和冷却的空间；

所述缓冲气体冷却结构，用于冷却离子；

所述汞灯，用于照射离子完成态的制备；

所述光路控制结构，用于扫描微波探测荧光的变化，获取光子计数值；

所述处理器，基于所述光子计数值获取汞离子的跃迁谱线，通过PID运算，得到误差电

压。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括微波源，所述微波源，用于

输出倍频后的微波。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述汞灯及光路控制结构包括汞灯，所述

汞灯，用于照射离子阱，完成离子阱内囚禁离子的抽运，使荧光从高能级自发辐射至基态。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述汞灯的起辉气体为氙气和甲烷的混合

气体。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述离子阱的表面构成微纳复合结构，所

述微纳复合结构包括微孔洞、纳米颗粒和微裂纹中的至少一种。

6.一种汞离子微波频标装置的制作方法，其特征在于，该方法包括

利用飞秒激光脉冲与离子阱表面相互作用形成微纳复合结构，对入射光子进行吸收，

以降低背景信号的光子数；

通过缓冲气体冷却结构向离子阱内冲入缓冲气体，以提高离子阱内离子的囚禁数量；

采用氙气和甲烷的混合气体作为起辉气体制作汞灯并照射离子阱，以滤除离子阱内的

杂散谱线，降低背景信号的光子数，从而提高汞离子微波频标信噪比。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括采用蓝宝石材料

作为所述汞灯的泡壳材料。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，通过汞灯照射离子，完成离子阱内囚

禁离子的抽运，使其从高能级自发辐射至基态。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，通过扫描微波获取汞离子跃迁谱线及

相关参数，