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Si基及图形衬底上GaN异质外延的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子产业中扮演着至关重要的角色。以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，凭借其独特的物理性质，如宽带隙、高击穿电场、高电子饱和漂移速度和高热导率等，在功率器件、光电器件等领域展现出巨大的应用潜力。与第一代半导体硅（Si）和第二代半导体砷化镓（GaAs）相比，GaN材料能够在更高的电压、频率和温度下工作，为实现电子器件的高性能、小型化和高效能提供了可能。

在功率器件领域，GaN基功率器件具有导通电阻低、开关速度快等优点，能够显著提高电能转换效率，降低能量损耗，在电动汽车、可再生能源发电、智能电网以及消费电子快充等领域有着广泛的应用前景。例如，在电动汽车的充电系统中，采用GaN功率器件可以实现更高功率的快速充电，缩短充电时间，同时减小充电器的体积和重量；在可再生能源发电领域，GaN器件能够提高逆变器的效率，降低成本，促进太阳能、风能等清洁能源的大规模应用。

在光电器件方面，GaN材料可用于制造发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等。基于GaN的蓝光LED的发明，使得白光LED照明成为现实，引发了照明领域的一场革命，极大地提高了照明效率，节省了能源消耗。此外，GaN基激光二极管在光通信、光存储、激光显示等领域也具有重要应用，有望推动这些领域的技术进步和产业发展。

然而，由于GaN材料在高温生长时氮的离解压很高，难以获得大尺寸的高质量GaN单晶衬底，目前GaN器件的制备主要依赖于异质外延技术，即在其他衬底材料上生长GaN外延层。在众多可供选择的衬底材料中，硅（Si）衬底因其具有尺寸大、成本低、与现有CMOS工艺兼容性好等显著优势，成为实现GaN器件大规模应用的理想衬底之一。但是，Si衬底与GaN之间存在着较大的晶格失配（约17%）和热失配（约118%），这会导致在Si衬底上生长的GaN外延层中产生大量的位错和应力，严重影响GaN材料的质量和器件的性能，如降低发光效率、缩短器件寿命、增加漏电等问题。因此，如何有效解决Si基GaN异质外延中的晶格失配和热失配问题，实现高质量的GaN外延生长，是推动GaN基功率和光电器件产业化发展的关键技术难题之一。

为了改善Si基GaN外延层的质量，除了优化生长工艺和缓冲层结构外，采用图形化衬底（PatternedSubstrate）技术也是一种有效的途径。图形化衬底通过在衬底表面制备特定的微观结构，如周期性的柱状、孔状或条纹状图案，可以改变GaN外延层的生长模式和应力分布，促进外延层中缺陷的相互抵消和湮灭，从而降低位错密度，提高材料的晶体质量和器件性能。例如，在图形化衬底上生长的GaN基LED，其发光效率相比传统平面衬底有显著提升，这是因为图形化结构增加了有源区的光提取效率，减少了光的内部吸收和散射。

对Si基及图形衬底GaN异质外延的研究具有重要的科学意义和实际应用价值。从科学研究角度来看，深入研究Si基及图形衬底上GaN异质外延的生长机理、界面特性和材料性能调控机制，有助于丰富和完善半导体异质外延理论，为新型半导体材料和器件的研发提供理论基础。从产业发展角度而言，通过优化Si基及图形衬底GaN异质外延技术，提高GaN外延层的质量和器件性能，降低生产成本，将有力推动GaN基功率和光电器件的产业化进程，促进相关产业的技术升级和创新发展，如推动5G通信基站中射频器件的更新换代，提升数据中心的能源利用效率，以及加速新型显示技术的商业化应用等，对于提升国家在半导体领域的核心竞争力，促进经济社会的可持续发展具有重要意义。

1.2国内外研究现状

在Si基GaN异质外延生长技术方面，国内外研究人员进行了大量的探索与实践。金属有机化学气相沉积法（MOCVD）是目前最为常用的生长方法，其原理是以三甲基镓等金属有机化合物作为镓源，氨气作为氮源，在高温和催化剂的作用下，气态的反应物在衬底表面发生化学反应并沉积，从而生长出GaN薄膜。国外如美国的Cree公司、德国的Aixtron公司等在MOCVD设备研发和工艺优化方面处于领先地位，通过精确控制反应气体流量、温度、压力等参数，能够生长出高质量的GaN外延层。国内的三安光电、华灿光电等企业也在积极投入研发，不断提升MOCVD技术水平，实现了6英寸及部分8英寸Si基GaN外延片的产业化生产。

分子束外延法（MBE）虽然生长速率较慢，但能够在原子尺度上精确控制薄膜生长，可制备出高质量、超薄的GaN外延层，常用于研究GaN材料的微观结构和生长机