CN118039686A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118039686A

(43)申请公布日2024.05.14

(21)申请号202410094540.4

(22)申请日2020.02.06

(62)分案原申请数据

202010081655.12020.02.06

(71)申请人联华电子股份有限公司

地址中国台湾新竹市

(72)发明人苏柏文张明华吕水烟

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

H01L29/20(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图8页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其

制作方法，其中该制作方法为，主要先形成一图

案化掩模于一基底上，然后利用图案化掩模去除

基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆

起部上，然后去除该受损层，形成一阻障层于隆

起部上，形成一P型半导体层于阻障层上，再形成

一源极电极以及一漏极电极于P型半导体层两

侧。

A

6

8

6

9

3

0

8

1

1

N

C

CN118039686A权利要求书1/1页

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

多个隆起部，沿着第一方向延伸于该缓冲层上；

多个凹槽，沿着该第一方向延伸于该多个隆起部之间；

P型半导体层，沿着第二方向延伸于该多个隆起部上并插入该多个凹槽中；以及

源极电极以及漏极电极，相邻于该P型半导体层两侧，其中该源极电极以及该漏极电极

沿着该第二方向延伸且位于该多个隆起部的正上方。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含栅极电极，设于该P型半导体层上。

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极电极包含金属。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含阻障层，设于该缓冲层以及该P型

半导体层之间。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含AlGaN。

x1‑x

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极电极包含插槽状电极。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该漏极电极包含插槽状电极。

10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一方向与该第二方向正交。

2

2

CN118039686A说明书1/5页

高电子迁移率晶体管及其制作方法

[0001]本申请是中国发明专利申请(申请号：202010081655.1，申请日：2020年02月06日，

发明名称：高电子迁移率晶体管及其制作方法)的分案申请。

技术领域

[0002]本发明涉及一