CN118198157A 提高硅光电倍增管光子探测效率的结构及其制作方法 （西安工程大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118198157A

(43)申请公布日2024.06.14

(21)申请号202410333960.3

(22)申请日2024.03.22

(71)申请人西安工程大学

地址710048陕西省西安市碑林区金花南

路19号

(72)发明人张国青郭超前朱香平杨延飞

刘露王磊李子健张向通

王悦李连碧刘丽娜

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214

专利代理师罗笛

(51)Int.Cl.

H01L31/0232(2014.01)

H01L31/107(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

H01L31/115(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

提高硅光电倍增管光子探测效率的结构及

其制作方法

(57)摘要

本发明公开的提高硅光电倍增管光子探测

效率的结构及其制作方法，包括设置于硅光电倍

增管非光敏区表面的金属膜，金属膜和硅光电倍

增管的光敏区上方共同设置有透明绝缘封装介

质。本发明通过在硅光电倍增管的非光敏区表面

即“死区”覆设一层高反射率的金属膜，从而利用

高反射金属膜与透明封装层上表面之间光子的

多次反射，使得更多的光子落在硅光电倍增管的

光敏区上，能够增加硅光电倍增管的光子探测效

率，还具有工艺简单、实用性强的优点。

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C

CN118198157A权利要求书1/1页

1.提高硅光电倍增管光子探测效率的结构，其特征在于，包括设置于硅光电倍增管非

光敏区表面的金属膜(3)，金属膜(3)和硅光电倍增管的光敏区上方共同设置有透明绝缘封

装介质(4)。

2.如权利要求1所述的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构，其特征在于，所述金属

膜(3)包括银膜或铝膜。

3.如权利要求1所述的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构，其特征在于，所述透明

绝缘封装介质(4)包括硅树脂或环氧树脂。

4.如权利要求1所述的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构的制作方法，其特征在

于，包括以下步骤：

步骤1、准备已经制备有G‑APD单元阵列(2)但尚未制作金属膜电极的硅晶圆(1)并进行

清洗；

步骤2、在硅晶圆(1)上蒸镀或溅射金属膜(3)；

步骤3、将光刻胶(5)均匀涂覆在金属膜(3)表面，用光刻G‑APD单元阵列(2)的掩膜版

(6)对准G‑APD单元阵列(2)并曝光；

步骤4、对光刻胶(5)进行显影操作，去除G‑APD单元阵列(2)上方的光刻胶(5)；

步骤5、用金属腐蚀液腐蚀未被光刻胶(5)覆盖的金属膜(3)；

步骤6、用有机溶剂去除金属膜(3)表面剩余的光刻胶(5)，得到SiPM芯片本体；

步骤7、准备绝缘管座(8)，通过标准键合工艺连接其金属电极(7)与芯片本体的电极；

步骤8、在芯片本体上方滴加液态透明绝缘封装介质(4)使其没过金属膜(3)；

步骤9、通过紫外光固化或升温固化的方式使液态透明绝缘封装介质(4)凝固，即得。

5.如权利要求4所述的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构的制作方法，其特征在

于，所述步骤1中的清洗方式具体为：使用清洗剂去除硅晶圆(1)表面的污染物。

6.如权利要求4所述的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构的制作方法，其特征在

于，所述步骤2中，在蒸镀或溅射金属膜(3)前先在硅晶圆(1)上预镀铜底层。

7.如权利要求4所述的提高硅光电