CN118213422A 晶硅太阳能电池及其制作方法 （深圳黑晶光电技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118213422A

(43)申请公布日2024.06.18

(21)申请号202410345332.7H01L31/0256(2006.01)

(22)申请日2024.03.25

(71)申请人深圳黑晶光电技术有限公司

地址518000广东省深圳市龙华区大浪街

道陶元社区鹊山光浩工业园E栋201

(72)发明人段磊平张瑜易海芒

请求不公布姓名

(74)专利代理机构深圳立羽知识产权代理事务

所(普通合伙)441028

专利代理师刘省超

(51)Int.Cl.

H01L31/0352(2006.01)

H01L31/0224(2006.01)

H01L31/068(2012.01)

H01L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图5页

(54)发明名称

晶硅太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

本申请涉及电池技术领域，公开了一种晶硅

太阳能电池，该晶硅太阳能电池包括：硅基板、第

一钝化层、P型掺杂层、第一电极层、第二钝化层、

掺杂钙钛矿电子传输层和第二电极层；其中，硅

基板包括相对设置的第一面和第二面，第一钝化

层、P型掺杂层和第一电极层依次层叠设置于硅

基板的第一面，第二钝化层、掺杂钙钛矿电子传

输层和第二电极层依次层叠设置于硅基板的第

二面；掺杂钙钛矿电子传输层由钙钛矿材料和掺

杂材料构成。本申请提供的晶硅太阳能电池有效

提升了电池中电子传输效率，解决了相关技术中

晶硅太阳能电池光电转换效率低的技术问题。本

A申请还提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法。

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N

C

CN118213422A权利要求书1/1页

1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基板，包括相对设置的第一面和第二面；

依次层叠设置于所述硅基板的第一面上的第一钝化层、P型掺杂层和第一电极层；

依次层叠设置于所述硅基板的第二面上的第二钝化层、掺杂钙钛矿电子传输层和第二

电极层，所述掺杂钙钛矿电子传输层由钙钛矿材料和掺杂材料构成。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述掺杂材料为PCBM。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述掺杂材料的质量占比为

5%‑15%。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿材料的结构通式为

ABX，A位为甲基铵、甲酰胺、铯、铷中的至少一种，B位为金属阳离子，X位为卤素中的至少一

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种。

5.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述甲基铵、甲酰胺、铯、铷的

物质的量之和为100%，所述甲基铵的物质的量的占比为0‑100%，所述甲酰胺的物质的量的

占比为0‑100%，所述铯的物质的量的占比为0‑30%，所述铷的物质的量的占比为0‑30%。

6.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿材料为CsPbI、

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CsPbIBr、CsPbIBr中的任意一种。

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7.根据权利要求1‑6中任一项所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述掺杂钙钛矿电

子传输层的膜层厚度为5nm‑200nm。

8.根据权利要求1‑6