CN118221108A 一种半金属纳米带的制作方法 （电子科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118221108A

(43)申请公布日2024.06.21

(21)申请号202410267242.0

(22)申请日2024.03.08

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号电子科技大学清水河校区

(72)发明人朱国嘉

(74)专利代理机构上海思真远达专利代理事务

所(特殊普通合伙)31481

专利代理师解丽丽

(51)Int.Cl.

C01B32/194(2017.01)

C01B21/06(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

B82Y30/00(2011.01)

权利要求书1页说明书2页附图2页

(54)发明名称

一种半金属纳米带的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种半金属纳米带的制作方

法，包括以下步骤：S1：取10带宽的扶手椅型石墨

烯纳米带；S2：在扶手椅型石墨烯纳米带的中间

部分通过替位掺杂的方式掺杂一条FeN4，使石墨

烯纳米带中第5行和第7行的碳原子被氮原子取

代，第6行的两个碳原子被铁原子取代；S3：获得

半金属纳米带。通过替位掺杂的方式，能够使使

10带宽的扶手椅型石墨烯纳米带呈现半金属性，

获得半金属纳米带。

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CN118221108A权利要求书1/1页

1.一种半金属纳米带的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：取10带宽的扶手椅型石墨烯纳米带；

S2：在扶手椅型石墨烯纳米带的中间部分通过替位掺杂的方式掺杂一条FeN，使石墨烯

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纳米带中第5行和第7行的碳原子被氮原子取代，第6行的两个碳原子被铁原子取代；

S3：获得半金属纳米带。

2.根据权利要求1所述的半金属纳米带的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，石墨烯

纳米带的带隙为1.17eV。

2

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CN118221108A说明书1/2页

一种半金属纳米带的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及半金属纳米带的制作方法。

背景技术

[0002]近些年来，由于石墨烯的发现，石墨烯纳米带成为自旋电子器件中的重要应用材

料，石墨烯纳米带根据边缘结构的改变、化学掺杂、几何变形、结构缺陷以及外部电场和磁

场的调控等方法可显示出半金属性质。

[0003]经检索，申请号CN102616768B的中国专利，公开了石墨烯纳米带制作方法，其目的

是缩短制程时间，使石墨烯纳米带能够进行实现量产化；

[0004]申请号CN114735680A的中国专利，公开了一种石墨烯纳米带及其制备方法，其通

过通过合成工艺的控制实现对分子量的调控，对具有明确分子结构的石墨烯纳米带进行带

隙值的调控。

[0005]然而，对于石墨烯纳米带来说，如何实现其半金属性质，使纳米带成为半金属纳米

带，从而在自旋滤波器、自旋阀、隧道结等自旋电子器件中实现作用，因此，亟需一种半金属

纳米带的制作方法。

发明内容

[0006]本发明的目的是