CN118213444A 正装led芯片及其制作方法 （青岛旭芯互联科技研发有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118213444A

(43)申请公布日2024.06.18

(21)申请号202311701984.1

(22)申请日2023.12.12

(71)申请人青岛旭芯互联科技研发有限公司

地址266000山东省青岛市黄岛区(原开发

区武夷山路437号户)

申请人东旭科技集团有限公司

(72)发明人康志杰贾钊窦志珍胡恒广

董昆

(74)专利代理机构北京鼎佳达知识产权代理事

务所(普通合伙)11348

专利代理师于海峰刘铁生

(51)Int.Cl.

H01L33/00(2010.01)

H01L33/38(2010.01)

H01L33/60(2010.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

正装LED芯片及其制作方法

(57)摘要

本公开提供一种正装LED芯片及其制作方

法。其中，一种正装LED芯片的制作方法包括：提

供一衬底；在衬底上蒸镀外延层；对外延层背离

衬底的表面进行光刻形成N电极平台；对N电极平

台进行蚀刻形成多个孔洞状且均匀分布的N电极

区域和多个块状且间隔设置的导电finger区；在

晶圆背离衬底的表面沉积二氧化硅；对二氧化硅

进行光刻和蚀刻以形成电流阻挡层；对电流阻挡

层背离衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻，以形

成电流扩展层；对电流扩展层背离衬底的表面进

行沉积、光刻和蚀刻，以形成钝化保护层；对钝化

保护层背离衬底的表面进行光刻、蒸镀和剥离以

A形金属电极；对芯片主体进行研磨以降低芯片主

4体的总厚度；在晶圆靠近衬底的表面进行沉积以

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4

3形成布拉格反射层。

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C

CN118213444A权利要求书1/2页

1.一种正装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一图形化的衬底；

在所述衬底上蒸镀外延层，以使所述衬底和所述外延层构成晶圆；

对所述外延层背离所述衬底的表面进行光刻，以形成N电极平台；

对所述N电极平台进行蚀刻，以形成多个孔洞状且均匀分布的N电极区域和多个块状且

间隔设置的导电finger区；

在所述晶圆背离所述衬底的表面沉积二氧化硅；

对所述二氧化硅进行光刻和蚀刻以形成电流阻挡层；

对所述电流阻挡层背离所述衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻，以形成电流扩展层；

对所述电流扩展层背离所述衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻，以形成钝化保护层；

对所述钝化保护层背离所述衬底的表面进行光刻、蒸镀和剥离，以形成金属电极，并获

得芯片主体；

对所述芯片主体进行研磨，以降低所述芯片主体的总厚度；

在所述晶圆靠近所述衬底的表面进行沉积，以形成布拉格反射层。

2.根据权利要求1所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，

所述在所述衬底上蒸镀外延层包括：

在图形化的蓝宝石衬底上依次蒸镀氮化镓外延层；

其中，所述氮化镓外延层包括：N型氮化镓、发光层和P型氮化镓。

3.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，

所述对所述外延层背离所述衬底的表面进行光刻，以形成N电极平台包括：

在所述外延层背离所述蓝宝石衬底的表面涂覆正性光刻胶；

对所述正性光刻胶进行曝光及显影。

4.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，

所述对所述N电极平台进行蚀刻包括：

对所述N电极平台进行干法蚀刻，且蚀