CN118201459A 一种掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法 （北京科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118201459A

(43)申请公布日2024.06.14

(21)申请号202410301053.0

(22)申请日2024.03.15

(71)申请人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人李成明白雪杨韩啸松刘金龙

陈良贤魏俊俊

(74)专利代理机构北京市广友专利事务所有限

责任公司11237

专利代理师张仲波于春晓

(51)Int.Cl.

H10N30/093(2023.01)

H01L21/67(2006.01)

C23C14/06(2006.01)

C23C14/54(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法

(57)摘要

一种掺杂氮化铝压电薄膜的制备方法，属于

压电薄膜制备技术领域。本发明在衬底上制备第

一层氮化铝薄膜；在第一层氮化铝薄膜上使用磁

控溅射通过铝靶和第一掺杂元素靶的共溅射形

成初步掺杂的氮化铝薄膜；检测并计算初步掺杂

的氮化铝薄膜中第一掺杂元素的含量与目标值

的差距；以此差距为基础，确定离子注入掺杂中

第一掺杂元素注入或第二掺杂元素注入或第一

和第二掺杂元素共同注入的通量；对离子注入后

的掺杂氮化铝薄膜进行退火处理；形成单一或者

复合掺杂的氮化铝压电薄膜，提高掺杂浓度与氮

化铝薄膜的压电性能，并可对薄膜组分的化学计

A量比进行较为精确的调制，满足对压电薄膜综合

9性能的要求，以更好地适用于各类压电薄膜器件

5

4

1尤其是声波滤波器中。

0

2

8

1

1

N

C

CN118201459A权利要求书1/1页

1.一种掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一衬底；

2)在所述衬底上制备第一层氮化铝薄膜,作为过渡层减少掺杂氮化铝压电薄膜的晶格

失配与缺陷；

3)在第一层氮化铝薄膜上使用磁控溅射通过铝靶和第一掺杂元素靶的共溅射形成初

步掺杂的氮化铝薄膜；

4)检测初步掺杂的氮化铝薄膜中第一掺杂元素的含量，并计算与目标值的差距；

5)以与目标值差距为基础，确定离子注入掺杂中第一掺杂元素注入或第二掺杂元素注

入或第一和第二掺杂元素共同注入的通量；

6)通过离子注入对初步掺杂的氮化铝薄膜进行第一掺杂元素注入掺杂或者第二掺杂

元素注入掺杂或第一和第二掺杂元素共同注入掺杂，对掺杂浓度进行调节，并进一步产生c

轴应变，优化压电性能；

7)对离子注入后的掺杂氮化铝薄膜进行退火处理，缓解离子注入带来的应力与缺陷；

8)形成单一或者复合掺杂的氮化铝压电薄膜。

2.根据权利要求1所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤1)所述衬

底为抛光的单晶金刚石或多晶金刚石。

3.根据权利要求1所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤2)所述第

一层氮化铝薄膜的制备方法为磁控溅射、金属有机化合物化学气相沉积、原子层沉积中的

一种。

4.根据权利要求1或3所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤3)所

述反应磁控溅射制备初步掺杂的氮化铝薄膜采用铝靶和掺杂元素靶在氮气和氩气的混合

气体中共溅射，其中溅射气压范围为0.1～1.0Pa，氩气与氮气的流量比值范围为0.2～8.0，

衬底加热温度范围为200～800℃，射频电源功率范围为50～600W，靶基距范围为5～15cm，

‑5

反应腔本底真空气压小于7