CN120018409A 一种超高层三阶埋一阶盲孔背钻hdi板的制作方法 （浙江万正电子科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120018409A(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510008847.2

(22)申请日2025.01.03

(71)申请人浙江万正电子科技股份有限公司地址314100浙江省嘉兴市嘉善县干窑镇

亭耀东路69-1号

(72)发明人吉祥书李银兵柴喜孟佳

(74)专利代理机构嘉兴鼎鸿智宇知识产权代理

事务所(普通合伙)33529专利代理师燕宏伟任必为

(51)Int.CI.

H05K3/46(2006.01)

H05K3/00(2006.01)

H05K3/42(2006.01)

权利要求书1页说明书4页

(54)发明名称

一种超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制

作方法

(57)摘要

CN120018409A一种超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其包括如下步骤：开料--内层线路--内层酸蚀--AOI--棕化一第一次压合L2-9--钻孔--等离子--PTH--一铜--树脂塞孔--线路--AOI--棕化；开料--内层线路--内层酸蚀--AOI--棕化一第二次压合L12-19--钻孔--等离子--PTH--一铜--树脂塞孔--线路--AOI--棕化；第二次压合L2-L19;减铜--L2-19层钻孔--等离子--PTH--板电--树脂塞孔--减铜--线路/蚀刻--第三次压合，即将L2-L9与L12至L19压合在一起；转外层制作：压合后减铜--L1-2、L19-20层镭射钻孔--等离子--填空电镀--减铜--钻孔--等离子--PTH--脉冲电镀--外层线路--图形电镀--蚀刻--AOI--

CN120018409A

连。

CN120018409A权利要求书1/1页

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1.一种超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其包括如下步骤：

STEP101:开料--内层线路--内层酸蚀--AOI--棕化一第一次压合L2-9--钻孔--等离子--PTH--一铜--树脂塞孔--线路--AOI--棕化；

STEP102:开料--内层线路--内层酸蚀--AOI--棕化一第二次压合L12-19--钻孔--等离子--PTH--一铜--树脂塞孔--线路--AOI--棕化；

STEP103:第二次压合L2-L19;

STEP104:减铜--L2-19层钻孔--等离子--PTH--板电--树脂塞孔--减铜--线路/蚀刻--第三次压合，即将L2-L9与L12至L19压合在一起；

STEP105:转外层制作：压合后减铜--L1-2、L19-20层镭射钻孔--等离子--填空电镀--减铜--钻孔--等离子--PTH--脉冲电镀--外层线路--图形电镀--蚀刻--AOI--阻焊--文字--喷锡--测试--成型--终检。

2.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在步骤STEP101中，按照L2-L9实测涨缩的数据的平均值制作L2线路的宽度。

3.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在步骤STEP102中，按照L12-L19实测涨缩的数据的平均值制作L10、L11、L19层线路的宽度。

4.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在步骤STEP104前，将L2、L19层表面的铜厚减至17-23um。

5.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在步骤STEP104中，将铜孔中的铜厚减至35-40um。

6.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在第一、第二、第三次压合时，压合升温速率控制在2.0±0.5℃/min范围内，被压合的材料温度控制在80～140℃的区域内，最高压力为420PSI,当外层料的温度在80-100℃时转高压，固化温度应当大于或等等195℃,固化时间大于或等于60min。

7.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在第一、第二、第三次压合中使用硅胶垫覆型压合以使其板厚均匀性更佳，次外层即第L1-L2和第L19-L20层的介质层厚度管控到0.1mm±10%。

8.如权利要求1所述的超高层三阶埋一阶盲孔背钻HDI板的制作方法，其特征在于：在