CN119968080A 一种简单快速的大面积免转移石墨烯场效应晶体管生物传感器的制作方法 （大连理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119968080A(43)申请公布日2025.05.09

(21)申请号202510135918.5

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工

路2号

H10KH10K

H10KH10K

GO1N

10/46(2023.01)

77/10(2023.01)

19/10(2023.01)

85/20(2023.01)

27/414(2006.01)

(72)发明人吴硕杨德微杨荣利

银冰周纯滔

(74)专利代理机构辽宁鸿文知识产权代理有限

公司21102专利代理师李宝元

(51)Int.CI.

H10K71/12(2023.01)

C03C17/22(2006.01)

CO3C17/10(2006.01)

H10K71/40(2023.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种简单快速的大面积免转移石墨烯场效应晶体管生物传感器的制作方法

(57)摘要

CN119968080A本发明属于场效应晶体管生物传感器技术领域，公开一种简单快速的大面积免转移石墨烯场效应晶体管生物传感器的制作方法。先制备氧化石墨烯膜，再经100℃肼化学还原和一步200℃热退火工艺得到还原氧化石墨烯膜，再在还原氧化石墨烯膜上沉积源漏电极和固定测试池子得到测试所用器件。本发明的RGO膜大小可达4×4cm2甚至更大，且本发明免除了转移过程，可在基底上直接制备。本发明的器件制备过程简单、快速、经济效益高，且还原过程温和，有利于后续在柔性基底上的应用。结果表明，将具有高载流子迁移率的石墨烯与具有自放大效应的场效应

CN119968080A

CN119968080A权利要求书1/1页

2

1.一种简单快速的大面积免转移石墨烯场效应晶体管生物传感器的制作方法，其特征在于，该大面积免转移石墨烯场效应晶体管生物传感器是由沉积在玻璃基底的大面积RGO膜、钾离子选择性膜、由金或银制得的源漏电极以及测试池子组成；所述的大面积RGO膜是由旋涂在玻璃基底上的氧化石墨烯膜经100℃肼化学还原以及一步200℃空气热退火工艺而制得的。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述大面积RGO膜的制备步骤如下：

(1)对玻璃片进行亲水处理300-400s;3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液与乙醇按体积比1:100混合，将亲水处理后的玻璃片放入其中浸泡2-3h;

(2)浸泡后的玻璃片用乙醇冲洗，氮气吹干；将浓度为1mg/mL的氧化石墨烯溶液涂覆在玻璃片表面，先在低转速450-500rpm涂覆10-15s,再在高转速1000-1300rpm涂覆30-40s,即得到氧化石墨烯膜；

(3)在密封装置中，对氧化石墨烯膜先用肼蒸汽100℃化学还原45min-1h,再经200℃空气热退火20-30min还原得到还原氧化石墨烯膜，即为大面积RGO膜。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述大面积免转移石墨烯场效应晶体管生物传感器的制备步骤如下：

在还原氧化石墨烯膜上设计长宽比为10:1-5:1的石墨烯沟道，在石墨烯沟道两侧用金浆或银浆涂覆作为源漏电极，接铜丝引出源漏电极，在100-120℃温度条件下烘干；去掉其余部分的RGO膜，再用聚二甲基硅氧烷封装住除石墨烯沟道以外其余部分，固定住测试池子；

取钾离子选择性膜混合物的配方，溶于四氢呋喃THF中，得到钾离子选择性膜混合物溶液，控制钾离子选择性膜混合物的浓度在125-250mg/ml;钾离子选择性膜混合物溶液经超声处理均匀后，密封保存于4℃;通过滴涂将钾离子选择性膜混合物溶液浇铸到石墨烯沟道上，真空干燥30-60min后得到一层稳定的ISM,器件制作完成；最终即得到可检测钾离子的石墨烯场效应晶体管生物传感器。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的钾离子选择性膜混合物的配方按照质量百分比记，主要由2wt.%缬氨霉素，0.6wt.%四苯硼钠，32.7wt.%聚氯乙烯PVC和64.7wt.%癸二酸二辛酯DOS组成。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的钾离子选择性膜混合物溶液与石墨烯沟道的面积比例关系为7.5-8μL/cm2。

CN119968080A