CN120076375A 一种ldmos器件及其制作方法 （浙江大学杭州国际科创中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120076375A(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510162385.X

(22)申请日2025.02.12

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址311200浙江省杭州市萧山区平澜路

2118号

(72)发明人綦殿禹姚一洋许凯吴永玉高大为

(74)专利代理机构杭州华进联浙知识产权代理有限公司33250

专利代理师方道杰

(51)Int.CI.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/00(2025.01)

权利要求书1页说明书8页附图10页

(54)发明名称

一种LDMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN120076375A本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法，包括：衬底、漂移区、体电极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、隔离氧化层和侧墙，还包括：第一场板，所述第一场板位于栅极和源区之间的漂移区表面，部分覆盖在所述侧墙表面，且所述第一场板接零电位；第二场板，所述第二场板与所述第一场板水平设置，位于所述漂移区和栅极之间且靠近所述第一场板。水平设置的两个场板结构能够在单场板结构的基础上引入另一个碰撞电离峰值，降低了单场板结构薄弱处的碰撞电离峰值，

CN120076375A

CN120076375A权利要求书1/1页

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1.一种LDMOS器件，包括：衬底和位于所述衬底表面的漂移区，所述漂移区的一侧设置有体区，所述体区表面内设置有体电极和源区，所述漂移区的另一侧设置有漏区，所述漂移区表面设置有栅氧化层，所述栅氧化层的部分覆盖在所述源区表面，所述栅氧化层的表面设置有栅极、隔离氧化层和侧墙，其特征在于，还包括：

第一场板，所述第一场板位于栅极和源区之间的漂移区表面，部分覆盖在所述侧墙表面，且所述第一场板接零电位；

第二场板，所述第二场板与所述第一场板水平设置，位于所述漂移区和栅极之间且靠近所述第一场板。

2.根据权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述第二场板设置在所述漂移区表面，穿透所述栅氧化层并与所述栅极相接。

3.根据权利要求2所述LDMOS器件，其特征在于，所述第二场板的制作材料为低温氧化物。

4.根据权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述第二场板为LOCOS场板，且所述第二场板穿透所述栅氧化层并与所述栅极相接。

5.根据权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述第二场板为STI场板，且所述第二场板位于所述栅氧化层下方。

6.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成漂移区；

对所述漂移区的一侧进行掺杂，形成体区；

在所述漂移区表面形成第二场板；

在所述漂移区表面形成栅氧化层；

在所述栅氧化层表面形成栅极、隔离氧化层和侧墙；

在所述漂移区的另一侧表面形成第一场板；

对所述漂移区和体区进行掺杂，形成源区、漏区和体电极；

其中，所述第一场板位于栅极和源区之间的漂移区表面，部分覆盖在所述侧墙表面，且所述第一场板接零电位；所述第二场板与所述第一场板水平设置，位于所述漂移区和栅极之间且靠近所述第一场板。

7.根据权利要求6所述LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第二场板设置在所述漂移区表面，穿透所述栅氧化层并与所述栅极相接。

8.根据权利要求7所述LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第二场板的制作材料为低温氧化物。

9.根据权利要求6所述LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第二场板为LOCOS场板，且所述第二场板穿透所述栅氧化层并与所述栅极相接。

10.根据权利要求6所述LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第二场板为STI场板，且所述第二场板位于所述栅氧化层下方。

CN120076375A说明书1/8页

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一种LDMOS器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种LDMOS器件及其制作方

法。

背景技术

[0002]后摩尔时代，集成电路的发展趋势由微型化向功能化转变，功率集成电路在电源控制、汽车电子、消费和通信