CN118763104A 无帽层GaAs HEMT外延结构、GaAs HEMT器件及其制作方法 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118763104A

(43)申请公布日2024.10.11

(21)申请号202411131674.5

(22)申请日2024.08.16

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅

湖高教区若水路398号

(72)发明人秦华焦尚孙建东

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32256

专利代理师李志

(51)Int.Cl.

H01L29/778(2006.01)

H01L29/205(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

无帽层GaAsHEMT外延结构、GaAsHEMT器件

及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种无帽层GaAs

HEMT外延结

构、GaAs

HEMT器件及其制作方法。无帽层GaAs

HEMT外延结构包括：AlGaAs/GaAs异质结，包括层

叠设置的GaAs沟道层和A1GaAs势垒层，所述GaAs

沟道层和所述AlGaAs势垒层之间的界面区域形

成有二维电子气沟道；本征GaAs保护层，层叠设

置在所述AlGaAs势垒层上，所述本征GaAs保护层

的厚度为2nm～3nm。本发明实施例提出的一种无

帽层的GaAs

HEMT器件的制作方法，通过优化欧

姆金属组分和退火条件，获得了稳定且低接触电

阻的欧姆接触。

A

4

0

1

3

6

7

8

1

1

N

C

CN118763104A权利要求书1/2页

1.一种无帽层GaAs

HEMT外延结构，其特征在于，包括：

A1GaAs/GaAs异质结，包括层叠设置的GaAs沟道层和AlGaAs势垒层，所述GaAs沟道层和

所述AlGaAs势垒层之间的界面区域形成有二维电子气沟道；

本征GaAs保护层，层叠设置在所述AlGaAs势垒层上，所述本征GaAs保护层的厚度为2nm

～3nm。

2.根据权利要求1所述无帽层GaAs

HEMT外延结构，其特征在于：所述AlGaAs势垒层内

部还具有一层Si原子层，所述Si原子层至少用于提供电子；

优选的，所述Si原子层是通过δ掺杂方式获得的；

优选的，在所述AlGaAs势垒层内，所述Si原子层分布在一平面区域内；

12‑212‑2

优选的，所述Si原子层的掺杂浓度为2×10cm～5×10cm。

3.根据权利要求1所述无帽层GaAs

HEMT外延结构，其特征在于，还包括：缓冲层，所述

AlGaAs/GaAs异质结设置在所述缓冲层上，所述缓冲层包括周期性重复的AlGaAs/GaAs超晶

格；

优选的，所述无帽层GaAs

HEMT外延结构还包括：GaAs衬底，所述缓冲层设置在所述

GaAs衬底上。

4.一种无帽层GaAs

HEMT器件，其特征在于，包括：权利要求1‑3中任一项所述无帽层

GaAs

HEMT外延结构，以及，源极、漏极和栅极，所述源极、所述漏极和所述栅极设置在所述

本征GaAs保护层上，所述栅极设置在所述源极与所述漏极之间，所述源极、所述漏极与所述

GaAs

HEMT外延结构内的二维电子气沟道形成欧姆接触。

5.根据权利要求4所述无帽层GaAs

HEMT器件，其特征在于：所述源极、所述漏极与所述

本征GaAs保护层接触的部分均为AuGe合金层，并且，所述