CN118739020A 窄光谱氮化镓基半导体激光器结构及其制作方法 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118739020A

(43)申请公布日2024.10.01

(21)申请号202310330566.X

(22)申请日2023.03.30

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅

湖高教区若水路398号

(72)发明人冯美鑫孙钱张书明杨辉

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32256

专利代理师王锋

(51)Int.Cl.

H01S5/125(2006.01)

H01S5/10(2021.01)

H01S5/30(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

窄光谱氮化镓基半导体激光器结构及其制

作方法

(57)摘要

本发明公开了一种窄光谱氮化镓基半导体

激光器结构及其制作方法。所述激光器结构包括

具有F‑P腔的激光器本体，依次结合在所述激光

器本体的前腔面上的第一分布式布拉格反射镜、

至少一介质层和第二分布式布拉格反射镜，以

及，结合在所述激光器本体的后腔面上的第三分

布式布拉格反射镜；所述第一分布式布拉格反射

镜、介质层和第二分布式布拉格反射镜配合形成

光学微腔，所述光学微腔用于与F‑P腔进行耦合

选模。本发明的激光器结构具有光谱窄、发光效

率高、可靠性好等优点，其制作工艺具有简单、刻

A蚀损伤小、利于生产，可显著提升氮化镓基半导

0体激光器的综合性能，并降低其生产成本。

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CN118739020A权利要求书1/2页

1.一种窄光谱氮化镓基半导体激光器结构，其特征在于，包括：

具有F‑P腔的激光器本体，且所述激光器本体具有沿指定方向分布的前腔面和后腔面，

沿指定方向依次结合在所述激光器本体的前腔面上的第一分布式布拉格反射镜、至少

一介质层和第二分布式布拉格反射镜，

结合在所述激光器本体的后腔面上的第三分布式布拉格反射镜；

其中，所述第一分布式布拉格反射镜、介质层和第二分布式布拉格反射镜配合形成光

学微腔，所述光学微腔用于与F‑P腔进行耦合选模。

2.根据权利要求1所述的窄光谱氮化镓基半导体激光器结构，其特征在于，所述第一分

布式布拉格反射镜和第二分布式布拉格反射镜之间的介质层的厚度满足下式：

nL＝mλ/2

其中，λ为激光器的激射波长，L为介质层的实际厚度，n为介质层的折射率，m为正整数，

且m的取值范围为20‑100。

3.根据权利要求1所述的窄光谱氮化镓基半导体激光器结构，其特征在于，所述第一分

布式布拉格反射镜、第二分布式布拉格反射镜和第三分布式布拉格反射镜均包括沿指定方

向交替堆叠的高折射率材料层和低折射率材料层；和/或，所述激光器包括沿指定方向依次

分布的多个介质层。

4.根据权利要求1所述的窄光谱氮化镓基半导体激光器结构，其特征在于，所述高折射

率材料层、低折射率材料层、介质层的材质包括Si、SiO、氮化硅、TiO、ZrO、AlN、AlO、

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TaO、HfO、HfSiO、AlON中的任意一种或两种以上的组合。

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5.根据权利要求1所述的窄光谱氮化镓基半导体激光器结构，其特征在于，所述激光器

本体包括衬底和设置在衬底上的氮化镓基半导体结构，所述氮化镓基