CN118783240A Iii族氮化物半导体激光器结构及其制作方法 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118783240A

(43)申请公布日2024.10.15

(21)申请号202310361964.8

(22)申请日2023.04.06

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅

湖高教区若水路398号

(72)发明人孙钱冯美鑫张书明杨辉

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32256

专利代理师王锋

(51)Int.Cl.

H01S5/18(2021.01)

H01S5/06(2006.01)

H01S5/02(2006.01)

H01S5/024(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图3页

(54)发明名称

III族氮化物半导体激光器结构及其制作方

法

(57)摘要

本发明公开了一种III族氮化物半导体激光

器结构及其制作方法。所述激光器结构包含有光

子晶体结构，所述光子晶体结构形成于所述激光

器结构的n侧，并包括激光器结构内的至少部分n

型III族氮化物半导体材料。以及，所述激光器结

构的p侧表面通过p型欧姆接触电极与导热支撑

基板导热连接。本发明的激光器结构具有串联电

阻小、热阻低、发光效率高、应力小等优点，可大

幅增强光子晶体表面发射激光器的性能，有效延

长其使用寿命，且其制作工艺与现有半导体激光

器制作工艺兼容，非常适合III族氮化物半导体

A光子晶体表面发射激光器的规模生产。

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C

CN118783240A权利要求书1/2页

1.一种III族氮化物半导体激光器结构，包含有光子晶体结构，其特征在于：所述光子

晶体结构形成于所述激光器结构的n侧，并包括所述激光器结构内的至少部分n型III族氮

化物半导体材料。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体激光器结构，其特征在于：所述激光器结

构包括沿指定方向依次设置的含窄带隙材料的n型接触层、n型电流扩展层、n型光学限制

层、第一波导层、有源区、第二波导层、电子阻挡层、p型光学限制层和p型接触层，所述光子

晶体结构形成于所述激光器结构的n型材料区内，所述n型材料区包括所述n型接触层、n型

电流扩展层和n型光学限制层。

3.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体激光器结构，其特征在于：所述p型接触层

上形成有空穴注入窗口区，所述空穴注入窗口区对应于所述激光器结构的发光区设置，所

述n型接触层的指定区域被去除，所述光子晶体结构至少分布在所述n型材料区的选定区域

内，所述空穴注入窗口区在所述n型接触层、所述n型材料区上的正投影分别分布在所述n型

接触层的指定区域、所述n型材料区的选定区域内。

4.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体激光器结构，其特征在于：所述n型接触层

的余留区域与n型欧姆接触电极结合并形成欧姆接触，所述p型接触层与p型欧姆接触电极

结合并形成欧姆接触；

和/或，所述激光器结构的发光区边沿形成有台面结构，其中台面底部设置有加厚电

极，所述加厚电极与p型欧姆接触电极电性结合；

和/或，所述n型接触层的厚度为5～3000nm；

和/或，所述光子晶体结构具有多孔结构，其中孔洞的直径为0.02～1μm、深度为0～2μ

m；

和/或，所述n型接触层、第一波导层、有源区、第二波导层、电子阻挡层和p型接触层的

材质包括AlInGaN，其中0≤x1≤1、0≤y1≤1、0≤(x1+y1