CN118642021A 一种活塞缸式高压腔磁电输运测试样品台及其制作方法 （华中科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118642021A

(43)申请公布日2024.09.13

(21)申请号202410745546.3

(22)申请日2024.06.11

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人宋鑫鑫张卜天王顺

(74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有

限公司42267

专利代理师方放

(51)Int.Cl.

G01R33/12(2006.01)

G01R33/00(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种活塞缸式高压腔磁电输运测试样品台

及其制作方法

(57)摘要

本申请属于材料测试技术领域，具体公开了

一种活塞缸式高压腔磁电输运测试样品台及其

制作方法，该样品台包括衬底、多个电极以及多

根支撑导线；衬底呈柱体状，其具有多个通孔；多

个电极平铺并结合于衬底的上表面，用于承载薄

膜样品，或用于将薄膜样品压合于衬底的上表

面，多个电极与薄膜样品电接触；多根支撑导线

与多个电极一一对应，多根支撑导线的一端与活

塞缸式高压腔的基座连接，另一端穿过通孔并与

对应的电极电连接，并且，另一端还与穿过的通

孔内壁固定。本申请所制作的样品台，能够在活

A塞缸式高压腔的内部稳定可靠地实现薄膜样品

1的磁电输运测试。

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CN118642021A权利要求书1/1页

1.一种活塞缸式高压腔磁电输运测试样品台，其特征在于，包括衬底(1)、多个电极(2)

以及多根支撑导线(3)；

所述衬底(1)呈柱体状，其具有多个通孔(1‑1)；

多个所述电极(2)平铺并结合于衬底(1)的上表面，用于承载薄膜样品(5)，或用于将薄

膜样品(5)压合于衬底(1)的上表面，多个所述电极(2)与薄膜样品(5)电接触；

多根所述支撑导线(3)与多个所述电极(2)一一对应，多根所述支撑导线(3)的一端与

活塞缸式高压腔(6)内的基座(7)连接，另一端穿过所述通孔(1‑1)并与对应的电极(2)电连

接，同时还与所述通孔(1‑1)内壁固定。

2.如权利要求1所述的样品台，其特征在于，所述电极(2)与所述衬底(1)之间叠合有金

属间层。

3.如权利要求1或2所述的样品台，其特征在于，多个所述电极(2)以衬底(1)的上表面

的圆心为中心间隔分布于衬底(1)的上表面，多个所述电极(2)具有与临近通孔(1‑1)同轴

线的用以供支撑导线(3)贯穿的穿孔。

4.一种活塞缸式高压腔磁电输运测试样品台的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.对衬底(1)的上表面进行抛光处理，并在衬底(1)上开设多个通孔(1‑1)；

S2.在衬底(1)的上表面镀制多个间断分布的电极(2)，随后在含有电极(2)的衬底(1)

的上表面制备薄膜样品(5)或放置成品的薄膜样品(5)；或者，先在衬底(1)的上表面制备薄

膜样品(5)或放置成品的薄膜样品(5)，随后在带有薄膜样品(5)的衬底(1)的上表面镀制多

个间断分布的电极(2)；多个所述电极(2)与薄膜样品(5)形成电接触；

S3.将从活塞缸式高压腔(6)的基座(7)处延伸出的支撑导线(3)穿过通孔(1‑1)，通过

导电胶(4)使支撑导线(3)与电极(2)形成电连接，并使支撑导线(3)与通孔(1‑1)内壁形成

粘接固定，从而在活塞缸式高压腔(6)内形成样品台。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S2中，制备薄膜样品(5)或放

置成品的薄膜样品(5)后，对带有薄膜