CN118676726A 近场辐射散热装置及其制作方法、激光器 （华中科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118676726A

(43)申请公布日2024.09.20

(21)申请号202410971679.2

(22)申请日2024.07.19

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞瑜路

1037号

(72)发明人程强周雨龙余永林

(74)专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)42222

专利代理师许莲英

(51)Int.Cl.

H01S5/024(2006.01)

H01S5/026(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图4页

(54)发明名称

近场辐射散热装置及其制作方法、激光器

(57)摘要

本发明提供了一种近场辐射散热装置及其

制作方法、激光器，属于半导体器件领域。该近场

辐射散热装置包括：近场辐射发射器，用于吸收

热量；近场辐射接收器，用于接收近场辐射发射

器发射的辐射能量；支撑部件，所述支撑部件设

置在近场辐射发射器与近场辐射接收器之间，以

在所述近场辐射发射器与近场辐射接收器之间

形成近场通道，所述近场辐射发射器以近场辐射

的方式通过近场通道将吸收的热量传递至近场

辐射接收器。

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CN118676726A权利要求书1/1页

1.一种近场辐射散热装置，其特征在于，所述近场辐射散热装置包括：

近场辐射发射器，用于吸收热量；

近场辐射接收器，用于接收近场辐射发射器发射的辐射能量；

支撑部件，所述支撑部件设置在近场辐射发射器与近场辐射接收器之间，以在所述近

场辐射发射器与近场辐射接收器之间形成近场通道，所述近场辐射发射器以近场辐射的方

式通过近场通道将吸收的热量传递至近场辐射接收器。

2.根据权利要求1所述的近场辐射散热装置，其特征在于，所述近场辐射发射器与所述

近场辐射接收器之间的间距为10‑200nm。

3.根据权利要求1所述的近场辐射散热装置，其特征在于，所述近场辐射发射器和所述

近场辐射接收器采用SiC层、Al层、Fe层中的任意一种形成。

4.根据权利要求1所述的近场辐射散热装置，其特征在于，所述近场辐射发射器和所述

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近场辐射接收器的面积为0.1‑2cm。

5.根据权利要求1所述的近场辐射散热装置，其特征在于，所述近场辐射散热装置还包

括：封装结构，用于使所述近场辐射发射器和近场辐射接收器之间保持真空。

6.一种近场辐射散热装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供近场辐射发射器；

在近场辐射发射器表面制作支撑部件；

在支撑部件表面设置近场辐射接收器以形成所述近场辐射散热装置，其中，所述近场

辐射发射器用于吸收热量，所述支撑部件用于在所述近场辐射发射器与近场辐射接收器之

间形成近场通道，所述近场辐射发射器以近场辐射的方式通过近场通道将吸收的热量传递

至近场辐射接收器。

7.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括：

发光单元，用于发出激光；

光学部件，用于将所述发光单元发出的激光朝指定方向射出；

近场辐射散热装置，所述近场辐射散热装置为如权利要求1至6任一项所述的近场辐射

散热装置，包括近场辐射发射器、支撑部件和近场辐射接收器，所述支撑部件设置在所述近

场辐射发射器与所述近场辐射接收器之间，所述近场辐射发射器用于吸收发光单元的热

量，并以近场辐射的方式通过近场通道传递至所述近场辐射接收器。

8.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述近