CN118553750A 一种芯片模块及其制作方法 （钱塘科技创新中心）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118553750A

(43)申请公布日2024.08.27

(21)申请号202310184062.1

(22)申请日2023.02.27

(71)申请人钱塘科技创新中心

地址310000浙江省杭州市经济技术开发

区白杨街道23号大街1002号5号楼

(72)发明人白向兴陈颖罗锐

(74)专利代理机构上海波拓知识产权代理有限

公司31264

专利代理师林丽璀

(51)Int.Cl.

H01L27/146(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种芯片模块及其制作方法

(57)摘要

本申请涉及一种芯片模块及其制作方法，制

作方法包括：提供一芯片；在芯片的正面形成光

线吸收层，以及，在芯片的背面涂覆粘接剂或贴

附粘接薄膜，光线吸收层包括量子点薄膜层；将

芯片置于一曲面模具中，并使芯片的背面朝向曲

面模具；对芯片进行加压，使芯片变形至与曲面

模具的表面共形；加热固化粘接剂或粘接薄膜，

使变形后的芯片与曲面模具的表面粘接而定形，

得到芯片模块。本申请通过对芯片进行曲面加

工，以及在芯片上形成包含量子点薄膜层的光吸

收层，能制造出可响应各波长光线且具备高像素

密度的芯片模块，工艺简单高效，良品率高。

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CN118553750A权利要求书1/2页

1.一种芯片模块的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.提供一芯片；

S2.在所述芯片的正面形成光线吸收层，以及，在所述芯片的背面涂覆粘接剂或贴附粘

接薄膜，所述光线吸收层包括量子点薄膜层；

S3.将所述芯片置于一曲面模具中，并使所述芯片的背面朝向所述曲面模具；

S4.对所述芯片进行加压，使所述芯片变形至与所述曲面模具的表面共形；

S5.加热固化所述粘接剂或粘接薄膜，使变形后的所述芯片与所述曲面模具的表面粘

接而定形，得到所述芯片模块。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1步骤之后，还包括：

对所述芯片进行减薄处理。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述芯片的厚度为20～200μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片上设有第一电极，所述S2步骤，包

括：

在所述芯片的正面形成电子传输层；

在所述电子传输层表面形成所述量子点薄膜层；

在所述量子点薄膜层表面形成空穴传输层；

在所述空穴传输层表面形成第二电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片上设有第一电极，所述S2步骤，还

包括：

在所述芯片的正面形成空穴传输层；

在所述空穴传输层表面形成所述量子点薄膜层；

在所述量子点薄膜层表面形成电子传输层；

在所述电子传输层表面形成第二电极。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述光线吸收层包括红外光吸收层、紫

外光吸收层、和可见光吸收层中的至少一项。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曲面模具的表面呈凹曲面或凸曲面。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S4步骤之前，还包括：

在所述芯片上设置柔性薄膜以密封所述芯片在所述柔性薄膜和所述曲面模具之间；

构建均匀压力场；

将所述芯片和所述曲面模具置于所述均匀压力场中。

9.一种芯片模块的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10.提供一芯片，在所述芯片的背面涂覆粘接剂或贴附粘接薄膜；