CN118472134A Led芯片及其制作方法 （青岛旭芯互联科技研发有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118472134A

(43)申请公布日2024.08.09

(21)申请号202410416298.8

(22)申请日2024.04.08

(71)申请人青岛旭芯互联科技研发有限公司

地址266000山东省青岛市黄岛区(原开发

区)武夷山路437号户

申请人东旭科技集团有限公司

(72)发明人杨陈贾钊窦志珍胡恒广

(74)专利代理机构北京鼎佳达知识产权代理事

务所(普通合伙)11348

专利代理师于海峰刘铁生

(51)Int.Cl.

H01L33/14(2010.01)

H01L33/20(2010.01)

H01L33/00(2010.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

LED芯片及其制作方法

(57)摘要

本公开提供一种LED芯片及其制作方法，涉

及LED芯片技术领域。其中，一种LED芯片包括依

次层叠的第一电极、衬底、外延层、总电流扩展层

和第二电极；其中，总电流扩展层包括至少两层

分电流扩展层，且至少两层分电流扩展层沿第一

方向依次堆叠；分电流扩展层的面积沿第一方向

依次减小从而形成至少一级台阶，第一方向为衬

底、外延层和总电流扩展层的层叠方向，每层分

电流扩展层的中心和第二电极的中心在同一直

线上。解决了随着电流扩展层厚度增加，LED芯片

的发光效率下降的问题。

A

4

3

1

2

7

4

8

1

1

N

C

CN118472134A权利要求书1/2页

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

依次层叠的第一电极(1)、衬底(2)、外延层(4)、总电流扩展层(6)和第二电极(7)；

其中，所述总电流扩展层(6)包括至少两层分电流扩展层，且至少两层所述分电流扩展

层沿第一方向依次堆叠；所述分电流扩展层的面积沿第一方向依次减小从而形成至少一级

台阶，所述第一方向为所述衬底(2)、所述外延层(4)和所述总电流扩展层(6)的层叠方向，

每层所述分电流扩展层的中心和所述第二电极(7)的中心在同一直线上。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，

所述分电流扩展层的侧壁为斜坡状，从所述分电流扩展层靠近所述第二电极(7)的一

侧向所述分电流扩展层远离所述第二电极(7)的一侧倾斜。

3.根据权利要求1或2任一项所述的一种LED芯片，其特征在于，

还包括电流阻挡层(8)，所述电流阻挡层(8)设置在所述总电流扩展层(6)远离所述第

二电极(7)的一侧，所述电流阻挡层(8)与所述第二电极(7)的位置相对应，所述电流阻挡层

(8)用于阻挡所述第二电极(7)的电流。

4.根据权利要求1或2任一项所述的一种LED芯片，其特征在于，

所述总电流扩展层(6)远离所述衬底(2)一侧设置有凹槽(20)，所述第二电极(7)设置

在所述凹槽(20)内。

5.根据权利要求4所述的一种LED芯片，其特征在于，

所述总电流扩展层(6)包括三层所述分电流扩展层，分别为沿第一方向依次层叠的第

一电流扩展层(61)、第二电流扩展层(62)和第三电流扩展层(63)，所述凹槽(20)设置在所

述第二电流扩展层(62)和所述第三电流扩展层(63)的中心，所述凹槽(20)内部为圆台状空

间。

6.根据权利要求3所述的一种LED芯片，其特征在于，

所述分电流扩展层为ITO电流扩展层，所述外延层(4)和所述电流阻挡层(8)之间设置

有p‑GaP电流扩展层(5)。

7.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，