CN116040571A 基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法 （北京理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116040571A(43)申请公布日2023.05.02

(21)申请号202211698055.5

(22)申请日2022.12.28

(71)申请人北京理工大学

地址100081北京市海淀区中关村南大街5

号

申请人北京理工大学重庆微电子研究院

(72)发明人杨恒张谢会开丁英涛曹英超严阳阳

(74)专利代理机构北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙)11639

专利代理师张利萍

(51)Int.CI.

B81B7/02(2006.01)

B81B3/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法

(57)摘要

CN116040571A(b)本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，