CN116406167A 氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116406167A(43)申请公布日2023.07.07

(21)申请号202310141307.2

(22)申请日2023.02.20

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人薛军帅李祖懋吴冠霖袁金渊孙文博郭壮赵澄刘仁杰

张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

专利代理师王品华

(51)Int.CI.

H10B99/00(2023.01)

HO1L29/88(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

H01LH01L

H01LC30B

C30B

29/788(2006.01)

21/8252(2006.01)21/02(2006.01)

25/02(2006.01)

29/40(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图2页

(54)发明名称

氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法

(57)摘要

CN116406167A本发明公开了一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法，主要解决现有氮化物非易失性存储器耐久性差、延迟高和漏电大的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、浮栅层、第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、隔离层、栅极接触层；该第一势垒层、第一量子阱层和第二势垒层构成第一共振隧穿二极管，第二势垒层与隔离层之间设有串联层、第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层，该第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层构成第二共振隧穿二极管，浮栅层两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层上设有栅电极，形成三极管结构器件。本发明能增加写入和擦除的电流差，减小延迟和漏电，易实现多值逻辑状态，可用于高密度存储和多值逻辑

CN116406167A

棚电极

棚电极

栅极接触层(13)

隔离层(12)_第四势垒层(11)

第二量子阱层(10)第三势垒层(9)

串联层(8)

第二势垒层(7)第一量子阱层(6)

第一势垒层(5)浮栅层(4)

沟道层(3)

成核层(2)

衬底(1)

第二

共振隧穿二极管

第一

共振隧穿二极管

钝化层(14)

CN116406167A权利要求书1/3页

2

1.一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器，自下而上，包括衬底(1)、成核层(2)、沟道层(3)、浮栅层(4)、第一势垒层(5)、第一量子阱层(6)、第二势垒层(7)、隔离层(12)、栅极接触层(13),该第一量子阱层(6)、第二势垒层(7)和第一势垒层(5)构成第一共振隧穿二极管；其特征在于：

所述第二势垒层(7)与隔离层(12)之间依次设有串联层(8)、第三势垒层(9)、第二量子阱层(10)和第四势垒层(11),通过改变串联层厚度和掺杂来改变串联电阻进而调控微分负阻峰值间距；该第三势垒层(9)、第二量子阱层(10)和第四势垒层(11)构成第二共振隧穿二极管，并与第一共振隧穿二极管串联；

所述浮栅层(4)两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层(13)上设有栅电极，栅电极到成核层(2)的外部包裹有钝化层(14),形成三极管结构；

通过两个共振隧穿二极管垂直输运电流和三极管横向输运电流，实现存储器输出状态的调控。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：

所述串联层(8),采用GaN、InGaN、InN中的任意一种，厚度为30nm-200nm,掺杂浓度为1×101?cm?3-5×102?cm3;

所述第三势垒层(9)和第四势垒层(11)均采用A1N、AlGaN、InAlN、InAlGaN、ScAlN、YAlN、AlPN、BA1N、BPN中的任意一种，厚度为1nm-3nm;

所述第二量子阱层(10),采用GaN、InGaN、InN中的任意一种，厚度为1nm-3nm;

所述钝化层(14),采用SiN、Al?0?、Hf0?材料中的任意一种。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：

所述的衬底(1)采用蓝宝石材料、硅材料、碳化硅材料、金刚石材料、氮化镓材料、氮化铝材料、氮化硼材料中的任意一种材料；

所述的成核层(2),采用A1N、GaN、AlGaN材料中任意一种，厚度为3nm-1000nm;

所述的沟道层(3),采用掺杂浓度在1x101?cm