CN116722835A 一种晶体滤波器及其制作方法 (北京无线电计量测试研究所).docxVIP

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CN116722835A 一种晶体滤波器及其制作方法 (北京无线电计量测试研究所).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116722835A(43)申请公布日2023.09.08

(21)申请号202310659471.2

(22)申请日2023.06.05

(71)申请人北京无线电计量测试研究所

地址100854北京市海淀区142信箱408分

(72)发明人张秋艳刘小光甘家健郑文强段友峰崔巍王作羽哈斯图亚王丽

(74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司

11257

专利代理师张雪梅

(51)Int.CI.

HO3H9/19(2006.01)

HO3H9/125(2006.01)

HO3H3/02(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种晶体滤波器及其制作方法

(57)摘要

CN116722835A本申请实施例公开一种晶体滤波器及其制作方法,滤波器包括:第一基座、第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器;第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器分别包括:第二基座和结合固定在第二基座上的石英振子,第二基座包括有第一引脚、第二引脚和第三引脚,第一引脚、第二引脚和第三引脚分别与石英振子连接;第一单片晶体滤波器的第一引脚和第二单片晶体滤波器的第一引脚分别作为晶体滤波器的输入端和输出端,第一单片晶体滤波器的第二引脚和第二单片晶体滤波器的第二引脚连接且分别与耦合电容的输入端连接。本发明大大减少了组成滤波器所用的构件数量,从而大大减小了滤波器的

CN116722835A

CN116722835A权利要求书1/2页

2

1.一种晶体滤波器,其特征在于,所述滤波器包括:

第一基座;

结合固定于第一基座上的第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器;

所述第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器分别包括:

第二基座;

结合固定在第二基座上的石英振子;

所述第二基座包括有第一引脚、第二引脚和第三引脚,所述第一引脚、第二引脚和第三引脚分别与石英振子连接;

第一单片晶体滤波器的第一引脚和第二单片晶体滤波器的第一引脚分别作为晶体滤波器的输入端和输出端;

所述滤波器还包括有耦合电容;

所述第一单片晶体滤波器的第二引脚和第二单片晶体滤波器的第二引脚连接且分别与所述耦合电容的输入端连接,所述耦合电容的输出端接地,形成四极点二节级联的结构形式。

2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器还分别包括:

结合固定在所述第二基座上的密封壳;

所述石英振子位于密封壳内。

3.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述石英振子包括:

石英晶片;

所述石英晶片包括有平行设置的第一表面和第二表面;

形成在所述石英晶片第一表面上的第一电极和第二电极;

形成在石英晶片第二表面上的第三电极,所述第一电极和第二电极在第二表面上的正投影位于第三电极覆盖的范围内。

4.根据权利要求3所述的滤波器,其特征在于,

所述第一单片晶体滤波器内石英振子的第一电极与第一引脚连接,第二电极与第二引脚连接,第三电极与第三引脚连接;

所述第二单片晶体滤波器内石英振子的第一电极与第一引脚连接,第二电极与第二引脚连接,第三电极与第三引脚连接。

5.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一电极和第二电极分别包括:

结合固定在所述石英晶片第一表面的铬层;

结合固定在铬层上的银层;

所述第一电极和第二电极分别为矩形结构状。

6.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述石英晶片为圆形,石英晶片的直径与厚度比大于60,所述石英晶片包括:

AT切型的切角;

设置在石英晶片上的限位结构,所述限位结构包括有第一方向,所述第一方向平行于滤波器耦合的方向。

7.一种晶体滤波器的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

CN116722835A权利要求书2/2页

3

制作第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器,并将第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器固定在第一基座上;

将第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器的第二引脚连接,并将第一单片晶体滤波器和第二单片晶体滤波器的第二引脚与耦合电容的输入端连接,将耦合电容的输出端接地,形成四极点二节级联的结构形式;

调试晶体滤波器,使其符合设计参数的要求。

8.根

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