CN116682873A Cmos图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法 （天津大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116682873A(43)申请公布日2023.09.01

(21)申请号202310649418.4

(22)申请日2023.06.02

(71)申请人天津大学

地址300072天津市南开区卫津路92号

(72)发明人王秀宇王涛徐江涛任群

崔雨昂

(74)专利代理机构天津市北洋有限责任专利代

理事务所12201专利代理师刘国威

(51)Int.CI.

HO1L31/0288(2006.01)

H01L31/101(2006.01)

HO1L31/103(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

传统CIS像素PD窄光谱吸收

传统CIS

像素PD窄光谱吸收

价带电子单一激发方式

本发明CIS像素PD

a

价带电子多种激发方式

宽光谱吸收

FD

(57)摘要

ColumnbusCN116682873A本发明涉及CMOS图像传感器领域，为提出一种基于硅本征光吸收和局域态能级光吸收的光电二极管新型结构，以扩宽硅的光吸收波长范围，提高传统CIS对长波长光的利用效率，有利于微光成像。为此，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法，采用杂质补偿结构的PN结PN。,构成PN。结的P区和

Columnbus

CN116682873A

CN116682873A权利要求书1/1页

2

1.一种CMOS图像传感器的宽光谱吸收光电二极管，其特征是，采用杂质补偿结构的PN结PN,构成PN结的P区和N区均通过杂质补偿形成。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的宽光谱吸收光电二极管，其特征是，PN结的P区先进行p重掺杂，受主杂质浓度为NA?,然后再n掺杂，施主杂质浓度为N?,形成部分杂质补偿，杂质补偿后PN结的P区施主由p重掺杂变为p轻掺杂，其有效杂质浓度为N?-Np?;同样，PN结的N区先进行n重掺杂，施主杂质浓度为ND?,然后再p掺杂，受主杂质浓度为NA?,形成杂质补偿，杂质补偿后PN结的N区施主由n重掺杂变为n轻掺杂，其有效杂质浓度为Np?-NA2。

3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的宽光谱吸收光电二极管，其特征是，杂质补偿中的施主与受主杂质浓度具有相同的数量级，P区和N区在杂质补偿后，杂质的有效浓度相等。

4.一种CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管制作方法，其特征是，CIS像素中的PD采用杂质补偿结构的PN结，构成PN结的P区和N区均通过杂质补偿形成，形成工艺如下：PN结的P区先进行p重掺杂，受主杂质浓度为NA?,然后再n掺杂，施主杂质浓度为ND?,形成部分杂质补偿，杂质补偿后PN结的P区受主由p重掺杂变为p轻掺杂，其有效杂质浓度为NA?-Np?;同样，PN结的N区先进行n重掺杂，施主杂质浓度为ND?,然后再p掺杂，受主杂质浓度为N2,形成杂质补偿，杂质补偿后PN结的N区施主由n重掺杂变为n轻掺杂，其有效杂质浓度为

ND?-NA2。

5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管制作方法，其特征是，n型杂质和p型杂质分别为磷P和硼B,对于PN结的P区和N区，由于杂质补偿作用，会在Si禁带中形成B和P局域态能级；杂质补偿后B因含有一个电子而构成施主能级，P因缺少一个电子而构成受主能级，在Si禁带中引入局域态能级，从而将其禁带分为△E?=Ec-Ep+、△E?=EB--E和△E?=Ep+-EB-三部分，Ec和E分别为导带和价带，Ep+和E?_分别为由P和B构成的局域态能级；由于△EEg(1.12),x=1,2,3,因此引入局域态能级的硅能吸收长波长的光，上述具有杂质补偿PN结的PD发生光吸收时，不仅会发生硅的本征光吸收，同时也会发生局域态能级的光吸收。

6.如权利要求4所述的CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管制作方法，其特征是，PN