CN116721934A 封装基板导电图形制作能力的评估方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116721934A(43)申请公布日2023.09.08

(21)申请号202310666044.7

(22)申请日2023.06.06

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人杜玲玲李君红沈阳刘青林王建彬彭增

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师卢炳琼

(51)Int.CI.

HO1L21/66(2006.01)

HO1L23/544(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

封装基板导电图形制作能力的评估方法

(57)摘要

CN116721934A本发明提供一种封装基板导电图形制作能力的评估方法，简单易操作，可通过设计不同深度的盲槽和/或不同尺寸的凸起来模拟金属蚀刻前工序如电镀所引起的凹坑和/或凸起等情形，以评估封装基板进行导电图形的制作能力，从而避免因不良导电图形的制作所引起的产能损失及成本浪费；通过设计回形金属测试线路，能够

CN116721934A

提供封装基板，所述封装基板包括载板及位于所述载板表面的金属层

提供封装基板，所述封装基板包括载板及位于所述载板表面的金属层

于所述金属层上形成第一干膜，并图形化所述第一干膜，显露所述金属层

刻蚀所述金属层，于所述金属层中形成沿第一方向延伸的盲槽

去除所述第一干膜

于所述金属层上形成第二干膜，并图形化所述第二干膜，显露所述金属层h

对所述金属层进行湿法刻蚀，形成贯穿所述金属层的通槽，所述通槽沿第

二方向延伸并与所述盲槽相连通，且图形化后的所述金属层构成位于所述

载板上的回形金属测试线路

去除所述第二干膜

对所述回形金属测试线路进行电性测试，评估所述封装基板导电图形的制作能力

SI

S2

S3

S5

S7

S8

CN116721934A权利要求书1/2页

2

1.一种封装基板导电图形制作能力的评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供封装基板，所述封装基板包括载板及位于所述载板表面的金属层；

于所述金属层上形成第一干膜，并图形化所述第一干膜，显露所述金属层；

刻蚀所述金属层，于所述金属层中形成沿第一方向延伸的盲槽；

去除所述第一干膜；

于所述金属层上形成第二干膜，并图形化所述第二干膜，显露所述金属层；

对所述金属层进行湿法刻蚀，形成贯穿所述金属层的通槽，所述通槽沿第二方向延伸并与所述盲槽相连通，且图形化后的所述金属层构成位于所述载板上的回形金属测试线路；

去除所述第二干膜；

对所述回形金属测试线路进行电性测试，评估所述封装基板导电图形的制作能力。

2.一种封装基板导电图形制作能力的评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供封装基板，所述封装基板包括载板及位于所述载板表面的金属层；

于所述金属层上形成第一干膜，并图形化所述第一干膜，显露所述金属层；

进行电镀，于所述金属层上形成沿第一方向延伸的凸起；

去除所述第一干膜；

于所述金属层上形成第二干膜，并图形化所述第二干膜，显露所述金属层；

对所述金属层进行湿法刻蚀，形成贯穿所述金属层的通槽，所述通槽沿第二方向延伸并与所述凸起相连，且图形化后的所述金属层构成位于所述载板上的回形金属测试线路；

去除所述第二干膜；

对所述回形金属测试线路进行电性测试，评估所述封装基板导电图形的制作能力。

3.一种封装基板导电图形制作能力的评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供封装基板，所述封装基板包括载板及位于所述载板表面的金属层；

于所述金属层上形成第一干膜，并图形化所述第一干膜，显露所述金属层；

刻蚀所述金属层，于所述金属层中形成沿第一方向延伸的盲槽；

去除所述第一干膜；

于所述金属层上形成第二干膜，并图形化所述第二干膜，显露所述金属层；

进行电镀，于所述金属层上形成沿第一方向延伸的凸起；

去除所述第二干膜；

于所述金属层上形成第三干膜，并图形化所述第三干膜，显露所述金属层；

对所述金属层进行湿法刻蚀，形成贯穿所述金属层的通槽，所述通槽沿第二方向延伸并与所述盲槽和所述凸起相连，且图形化后的所述金属层构成位于所述载板上的回形金属测试线路；

去除所述第三干膜；

对所述回形金属测试线路进行电性测试，评估所述封装基板导电图形的制作能力。

4.根据权利要求3所述的封装基板导电图形制作能力的评估方法，其特征在于