CN116685111A 一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法 （南京理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116685111A(43)申请公布日2023.09.01

(21)申请号202310616416.5

(22)申请日2023.05.29

(71)申请人南京理工大学

地址210094江苏省南京市孝陵卫200号

(72)发明人翟化天李强范德松

(74)专利代理机构南京理工大学专利中心

32203

专利代理师邹伟红

(51)Int.CI.

H05K7/20(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图5页

(54)发明名称

一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法

(57)摘要

CN116685111A本发明公开了一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法，具体步骤为：配制氮化硼前驱体溶液；将石墨薄膜固定在平板上；将上述前驱体溶液涂覆在石墨薄膜上。本发明制备的碳基复合膜可适用于系统与设备的散热，特别适用于航天器的散热技术、户外电子器件的散热；本发明

CN116685111A

称量相应质量比的

药品B、硅酸钾溶

液

石墨薄膜为基底，

用可调刮刀进行涂

覆

待去离子水挥发

后，即可得到碳基

复合膜

将药品B颗粒放入

硅酸钾中搅拌，直

至颗粒完全溶解

用胶带将石墨薄膜固定

CN116685111A权利要求书1/1页

2

1.一种强化扩热散热碳基复合膜的制作方法，其特征在于，具体步骤为：

S1,配制氮化硼前驱体溶液；

S2,将石墨薄膜固定在平板上；

S3,将上述氮化硼前驱体溶液涂覆在石墨薄膜上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，S1中，氮化硼前驱体溶液由氮化硼和硅酸钾按质量比1:2配制而成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，S2中，将厚度不小于15μm的石墨薄膜固定在平板上。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，S3中，将所述氮化硼前驱体溶液通过可调刮刀涂覆在石墨薄膜上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，S3中，涂覆厚度280μm~350μm。

6.如权利要求1-5任一所述的方法制备的强化扩热散热碳基复合膜。

7.如权利要求1-5任一所述的方法制备的强化扩热散热碳基复合膜作为扩热和辐射散热层的用途。

CN116685111A说明书1/3页

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一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法，属于功能材料技术领域。

背景技术

[0002]随着社会的发展，人们的工作越来越多的依赖于电子设备。目前存在很多的户外电子设备，它们由于遭受太阳热辐射和设备本身发热的影响而使得电子设备的温度升高，而温度过高会引起电子设备失效，因此消除这两种热源影响对电子设备的正常工作至关重要。现有的冷却方法有空调、强迫通风和空气热交换等。但上述方法的经济性和可靠性都有待提升。辐射冷却作为一种新型的冷却方式使得上述问题得到了解决。氮化硼涂层(涂层A)具有良好的辐射冷却性能，可将涂层A覆盖在电子设备的表面，通过涂层A的被动式降温来减少太阳热辐射的影响，进而实现电子设备的降温。但由于涂层A的面导热性能不佳，而电子器件上的热源多为点热源，所以为了使热源尽快得到散失，须使点热源能快速的扩散到整个平面。

发明内容

[0003]本发明的目的是提供一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法，该碳基复合膜具有优良的散热性能。

[0004]实现本发明目的技术方案是：一种强化扩热散热碳基复合膜及其制作方法，具体步骤为：

[0005]S1,配制氮化硼前驱体溶液；

[0006]S2,将石墨薄膜固定在平板上；

[0007]S3,将上述氮化硼前驱体溶液涂覆在石墨薄膜上。

[0008]进一步的，S1中，氮化硼前驱体溶液由氮化硼作为原料，硅酸钾作为粘结剂，按质量比1:2配制而成。

[0009]进一步的，S2中，将厚度不小于15μm的石墨薄膜固定在平板上。

[0010]进一步的，S3中，将所述氮化硼前驱体溶液通过可调刮刀涂覆在石墨薄膜上。

[0011]进一步的，S3中，涂覆厚度280μm~350μm。

[001