半导体晶片近边缘几何形态评价 第4部分：不完整区域局部平整度法.docx

《半导体晶片近边缘几何形态评价第4部分：不完整区域局部平整度法》标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReportonEvaluationofEdgeGeometryofSemiconductorWafers—Part4:LocalFlatnessofIncompleteArea(PSFQR,PSFQD,PSBIR)

摘要

随着半导体制造技术向更小线宽（如7纳米、5纳米及以下）和更大晶圆直径（如300mm向450mm过渡）演进，晶圆表面的全局及局部平整度已成为影响光刻工艺套刻精度、器件性能与良率的关键因素。其中，晶圆近边缘区域（通常定义为距边缘30mm的环形带）的几何形态因其在后续制造工序中的特殊地位而备受关注。该区域受研磨、抛光等加工工艺的固有特性影响，易出现平整度劣化，是导致边缘芯片失效、限制有效使用面积（EdgeExclusion）的主要根源。本报告聚焦于国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价第4部分：不完整区域局部平整度法》的制定工作。该标准旨在填补国内在晶圆近边缘定量化、标准化评价领域的空白，通过规定PSFQR（部分区域前参考面平整度）、PSFQD（部分区域前参考面偏差）及PSBIR（部分区域后参考面平整度）等核心参数的取样方案、计算方法和评价流程，为200mm及300mm硅抛光片、外延片、SOI片等产品的质量控制和贸易提供统一、精确的技术依据。本标准的制定与实施，将有力提升我国半导体材料产业的检测技术水平，促进上下游产业链的协同发展，增强国产半导体材料在国际市场的竞争力，对支撑我国集成电路产业的自主可控与高质量发展具有重要的战略意义。

关键词：半导体晶片；近边缘几何形态；局部平整度；PSFQR；标准化；质量控制；集成电路材料

Keywords:SemiconductorWafer;Near-EdgeGeometry;LocalFlatness;PSFQR;Standardization;QualityControl;ICMaterials

正文

一、立项背景与目的意义

在摩尔定律的持续驱动下，集成电路的特征尺寸不断微缩，晶圆直径持续增大。这一发展趋势对半导体衬底材料——晶片的几何参数提出了近乎苛刻的要求。晶片的全局平整度、局部平整度以及纳米形貌等参数直接决定了光刻时焦深的宽容度，影响图形转移的保真度。大量研究和产业实践表明，晶片近边缘区域（EdgeExclusionZone）是影响整体几何形态质量的薄弱环节。

该区域的质量问题主要源于现行的晶片加工工艺。在研磨、化学机械抛光（CMP）等关键制程中，由于工艺设备夹具的夹持效应、研磨盘/抛光垫在边缘区域的压力分布不均以及化学反应速率的差异，导致距晶片边缘约30mm的环形区域内，材料去除率与中心区域存在系统性偏差，从而更容易产生平整度下降、翘曲、局部应力集中等现象。随着芯片制造向晶圆边缘区域的充分利用拓展（即减小EdgeExclusion值），对近边缘区域几何形态的精确评价变得至关重要。

国际半导体设备与材料协会（SEMI）等组织已率先制定并发布了系列标准（如SEMIM1、SEMIMF1530等），建立了以不同测试区域和算法（如SFQR、SBIR、ESFQR等）为核心的近边缘几何形态评价体系，实现了对该区域质量的量化管理。反观国内，相关标准化工作相对滞后。目前仅有行业标准《YS/T26硅片边缘轮廓检验方法》，但其技术焦点在于评价晶片边缘倒角面的几何形状（如角度、长度、R型或T型轮廓），并未涉及对抛光面近边缘区域本身平整度的定量测量与评价。这种标准缺失的状态，导致国内半导体材料供应商、芯片制造商在产品质量判定、技术交流与贸易中存在技术壁垒和沟通成本，不利于产业链的整体技术提升和协同创新。

因此，制定《半导体晶片近边缘几何形态评价第4部分：不完整区域局部平整度法》国家标准，其核心目的与意义在于：

1.填补国内技术标准空白：建立一套科学、统一、可操作的近边缘局部平整度测试与评价方法，结束国内在该领域无国家标准可依的局面。

2.对接国际产业规范：通过采纳和转化国际通行的PSFQR、PSFQD、PSBIR等评价参数与方法，使国产半导体材料的技术指标与国际主流标准接轨，提升产品的国际认可度。

3.支撑先进制程需求：为300mm及未来更大直径晶片的质量控制提供关键技术支撑，满足先进逻辑、存储芯片制造对衬底平整度的极端要求。

4.促进产业质量升级：引导国内半导体材料企业优化加工工艺，针对性改善近边缘区域质量，从而提高整片晶圆的可用面积和最终芯片良率，增强产业核心竞争力。

二、标准范围与主要技术内容

本标准文件明确规定了适