模拟IC设计笔试题：涵盖PN结、CMOS反相器及带隙参考电压源等知识点.pdfVIP

mps公司模拟IC设计试题:

第一轮试题:

1)在p‑n结中，a)电容与耗尽层宽度（Xd）的关系是什

？

么b)耗尽层宽度（Xd）与反向偏压的关系？

+−++

2)哪一个有更高的击穿电压a)p/n结b)p/n

具

结c)为什么？

3)接触和欧姆接触有什么区别？

4)a)画出CMOS反相器的横截面图？

b)在横截面上绘制寄生SCR结构。

5)a)体效应如何影响MOS器件？b)反向偏置电压与位移之间的近似

？

6)a描述三种增加NMOS电流源输出阻抗的方法。)估计每种方法的改进幅度。b)这

种电流源中输出阻抗的？c)器件处于饱和状态时，漏极所需的最小电压是

多少？

7)参见图1。

图1

a)小ot。

信号增益？忽略BJT的Ru

b)Rout包含时会产生什么影响？c)如何最大化该电路的增益？请描述您的

假设。

8)Ao‑1000,P1=1KHz,Z1=100KHz,P2=10MHz。

a)根据这些值绘制伯德图。b)该电路是否具有单位增

益稳定性？c)如果Z1是右半平面零点，有什么不同？

9)a)描述带隙参考电压源的两个基本组件。

b)绘制任意一个带隙参考电压源，并描述它是如何实现参考电压的。

10)参见图2

mps公司模拟ic设计试题：

第一轮试题：

1)Inapnjunction,whatisheapproximatefunctionof

a)CapacitanceVs.Xd?b)XdVs.reversebias?

2)Whichhasahigherbreakdownvoltage

+−++

a)ap/njunctionb)ap/njunctionc)why?

3)Whatisthedifferenceaschottkycontactandohmiccontact?

4)a)DrawthecrosssectionofaCMOSinverter?

b)DrawtheparasiticSCRstructureonthecrosssection.

5)a)Howdoes‘bodyeffect’affectaMOSdevice?

b)WhatistheapproximateformulaforshiftVs.reversebias?

6)a)Describe3waystoincreasetheoutputimpedanceofanNMOScurrentsource.

Estimatethemagnitudeofimprovementforeachmethod.

b)Whatisthecauseofoutputimpedanceinthiscurrentsource?

c)Whatistheminimumvoltageatthedrainforthedevicetobeinsaturation?

7)Seefig.1

Fig.1

a)Whatisthesmall