CN116487425A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116487425A(43)申请公布日2023.07.25

(21)申请号202210558817.5

(22)申请日2022.01.14

(62)分案原申请数据

202210041542.82022.01.14

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人杨柏宇

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师王锐

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

22(24)-本发明公开一种高电子迁移率电晶体晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法为，主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一

22(24)-

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CN116487425A

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22(24)

42

2

CN116487425A权利要求书1/1页

1.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT),其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

P型半导体层，设于该阻障层上；

第一层，包含部分介电层设于该P型半导体层一侧；以及

第二层，包含第一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

保护层，设于该P型半导体层上；

栅极电极，设于该保护层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含第三层具有第二正电荷区设于该第一层以及该阻障层上。

4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三层侧壁切齐该第一层侧壁。

5.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三层包含氧基介电层。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一层底表面低于该阻障层顶表面。

CN116487425A说明书1/6页

3

高电子迁移率晶体管及其制作方法

[0001]本申请是中国发明专利申请(申请号：202210041542.8,申请日：2022年01月14日，发明名称：高电子迁移率晶体管及其制作方法)的分案申请。

技术领域

[0002]本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

[0003]以氮化镓基材料(GaN-basedmaterials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elasticmodulus)、高压电与压阻系数(highpiezoelectricandpiezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。

发明内容

[0004]本发明一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法，其主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

[0005]本发明另一实施例