CN116487421A 一种场效应晶体管及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116487421A(43)申请公布日2023.07.25

(21)申请号202310641125.1H01L29/786(2006.01)

(22)申请日2023.05.31

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市广州开发区开

源大道136号A栋

(72)发明人许滨滨叶甜春李彬鸿罗军许静嵇彤

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师王娇娇

(51)Int.CI.

HO1LH01LHO1L

29/45(2006.01)

29/417(2006.01)

21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书8页

附图9页

(54)发明名称

一种场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN116487421A本申请实施例公开了一种场效应晶体管及其制作方法，该方法中所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi,所述第二电极层中包括Hf0?,从而可以利用第二电极层中的HfO?阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，进而减缓硅化物在高温下快速团聚形成高阻NiSi?,提高金属电极中包括镍原子时，场效应晶体管的稳定性，即提高NiSi作为场效应晶体管的金属电极时的稳定性，同时利用第二电极层中的HfO?阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的

CN116487421A

制作村底结构，所述村底结构包括FDSOI村底，位于所述FDSOI村底

内的有源区和浅沟道隔离区，位于所述有源区表面的虚拟栅结构，位

于所述虚拟栅结构第一倒且与所述有源区电连接的源极结构以及位于

所述虚拟栅结构第二侧与所述有源区电连接的漏极结构，所述第一侧

和所述第二侧相对位于所述虚拟栅结构两侧

S2

制作源漏极，所述源极与所述源极结构电连接，所述漏极与所述漏极

结构电连接，且所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极

层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电

极层中包括NiSi,所述第二电极层中包括HfO?

去除所述虚拟栅结构，在所述虚拟栅结构所在区域形成高K金属栅结构，完成橱极结构的制作

CN116487421A权利要求书1/2页

2

1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

制作衬底结构，所述衬底结构包括FDSOI衬底，位于所述FDSOI衬底内的有源区和浅沟道隔离区，位于所述有源区表面的虚拟栅结构，位于所述虚拟栅结构第一侧且与所述有源区电连接的源极结构以及位于所述虚拟栅结构第二侧与所述有源区电连接的漏极结构，所述第一侧和所述第二侧相对位于所述虚拟栅结构两侧；

制作源漏极，所述源极与所述源极结构电连接，所述漏极与所述漏极结构电连接，且所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi,所述第二电极层中包括Hf0?;

去除所述虚拟栅结构，在所述虚拟栅结构所在区域形成高K金属栅结构，完成栅极结构的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作源漏极包括：

在真空环境下，在所述源极结构和所述漏极结构表面制作层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层包括镍和铂，所述第二金属层包括铪，所述第三金属层包括镍和铂，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层构成层叠金属结构；

在氮气气氛下，对所述层叠金属结构进行第一次快速热处理，并对所述叠层金属结构进行刻蚀，保留所述层叠金属结构位于所述源极结构表面的部分和所述层叠金属结构位于所述漏极结构表面的部分，去除所述层叠金属结构的其他部分，得到与所述源极结构电连接的源极以及与所述漏极结构电连接的漏极。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对所述层叠金属结构进行刻蚀，保留所述层叠金属结构位于所述源极结构表面的部分和所述层叠金属结构位于所述漏极结构表面的部分，去除所述层叠金属结构的其他部分包括：

对所述叠层金属结构进行湿法刻蚀，保留所述层叠金属结构位于所述源极结构表面的部分和所述层叠金属结构位于所述漏极结构表面的部分，去除所述层叠金属结构的