CN116487260A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116487260A(43)申请公布日2023.07.25

(21)申请号202210041542.8

(22)申请日2022.01.14

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人杨柏宇

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师王锐

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

22(24)-本发明公开一种高电子迁移率电晶体晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法为，主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一

22(24)-

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CN116487260A权利要求书1/2页

1.一种制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：

形成缓冲层于基底上；

形成阻障层于该缓冲层上；

形成P型半导体层于该阻障层上；

形成第一层包含负电荷区设于该P型半导体层一侧；以及

形成第二层包含正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成保护层于该P型半导体层上；

形成介电层于该保护层上，其中该介电层包含该正电荷区；

进行离子注入制作工艺以形成该负电荷区；

形成栅极电极于该P型半导体层上；以及

形成源极电极以及漏极电极于该栅极电极两侧。

3.如权利要求2所述的方法，另包含进行该离子注入制作工艺将氟离子注入该第一层以形成该负电荷区。

4.如权利要求2所述的方法，其中该介电层包含氧基介电层。

5.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成保护层于该P型半导体层上；

形成第一介电层于该保护层上；

进行离子注入制作工艺以形成该负电荷区；

形成第二介电层于该P型半导体层上，其中该第二介电层包含该正电荷区；

形成栅极电极于该P型半导体层上；以及

形成源极电极以及漏极电极于该栅极电极两侧。

6.如权利要求5所述的方法，其中该第一介电层包含含氮层。

7.如权利要求5所述的方法，其中该第二介电层包含含氧层。

8.如权利要求5所述的方法，另包含进行该离子注入制作工艺将氟离子注入该第一介电层以形成该负电荷区。

9.如权利要求5所述的方法，另包含在形成该第一介电层之前形成凹槽于该阻障层内。

10.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT),其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

P型半导体层，设于该阻障层上；

第一层，包含负电荷区设于该P型半导体层一侧；以及

第二层，包含第一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

保护层，设于该P型半导体层上；

栅极电极，设于该保护层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。

CN116487260A权利要求书2/2页

3

12.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，另包含第三层具有第二正电荷区设于该第一层以及该阻障层上。

13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三层侧壁切齐该第一层侧壁。

14.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三层包含氧基介电层。

15.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一层底表面低于该阻障层顶表面。

16.一种高电子迁移率晶体管(highelectron