CN114649457A Ito透明导电层蚀刻方法和led芯片及其制作方法 （江西圆融光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114649457A(43)申请公布日2022.06.21

(21)申请号202210204898.9

(22)申请日2022.03.02

(71)申请人江西圆融光电科技有限公司

地址337000江西省萍乡市安源工业园重

庆中路1号

(72)发明人杨建国卜浩礼杨天鹏陈向东郗萌邹浩洪周荣

康建

(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205

专利代理师李兴福臧建明

(51)Int.CI.

HO1L33/42(2010.01)

HO1L21/3213(2006.01)

权利要求书1页说明书10页附图7页

(54)发明名称

ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制

等离子清洁处理S3-2

等离子清洁处理

S3-2

第1次蚀刻

第2次蚀刻

第n次蚀刻

S3-1

(57)摘要

CN114649457A本发明提供一种ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法，ITO透明导电层蚀刻方法包括：在ITO透明导电层上设置光刻胶层，对光刻胶层进行光刻，以露出ITO透明导电层的待蚀刻区域；对待蚀刻区域进行等离子清洁处理后，进行n次蚀刻(ITO蚀刻),n为等于或大于2的整数；其中，按照从第1次蚀刻至第n次蚀刻的顺序，所用的蚀刻液浓度、蚀刻时间均逐次降低，本发明能够较为彻底地蚀刻掉ITO透明导电层需要蚀刻的区域的ITO,并易于控制蚀刻角度，提高

CN114649457A

CN114649457A权利要求书1/1页

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1.一种ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，包括：

在ITO透明导电层上设置光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻，以露出所述IT0透明导电层的待蚀刻区域；

对所述待蚀刻区域进行等离子清洁处理后，进行n次蚀刻，n为等于或大于2的整数；其中，按照从第1次蚀刻至第n次蚀刻的顺序，所用的蚀刻液浓度、蚀刻时间均逐次降低。

2.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述n次蚀刻的过程中，每次蚀刻所用的蚀刻液温度相同。

3.根据权利要求1或2所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻的温度为30℃~80℃。

4.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，

所述第1次蚀刻时所用的蚀刻液浓度为10?mol/L～10??mol/L;和/或，

所述第1次蚀刻的蚀刻时间为20s～500s。

5.根据权利要求1或4所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，

所述n次蚀刻过程中，任意相邻的两次蚀刻，后一次蚀刻所用的蚀刻液浓度是前一次蚀刻所用的蚀刻液浓度的0.5-0.7倍；和/或，

所述n次蚀刻过程中，任意相邻的两次蚀刻，后一次蚀刻的蚀刻时间是前一次蚀刻的蚀刻时间的0.6-0.9倍。

6.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述n次蚀刻的过程中，每次蚀刻结束后，用水洗去蚀刻液，然后用氮气吹干，再进行下一次蚀刻，直至第n次蚀刻结束后，用水洗去蚀刻液，然后甩干，再除去ITO透明导电层上剩余的光刻胶层，即完成所述ITO透明导电层的蚀刻。

7.根据权利要求6所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，在第1次蚀刻至第n次蚀刻之间，所述用水洗去蚀刻液的过程的时间为1min～3min;在第n次蚀刻结束后，所述用水洗去蚀刻液的过程的时间为6min～15min。

8.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述等离子清洁处理在氧气、甲烷、氩气、氢气中的至少一种的气体氛围下进行；和/或，

采用等离子清洗机进行所述等离子清洁处理，所述等离子清洗机的射频功率为10w~800w;和/或，

所述等离子清洁处理的时间为30s～600s。

9.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：采用权利要求1-8任一项所述的ITO透明导电层蚀刻方法对ITO透明导电层进行蚀刻。

10.一种LED芯片，其特征在于，按照权利要求9所述的LED芯片制作方法制得。

CN114649457A说明书1/10页

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ITO透明导电层蚀刻