CN114597763A 一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法 （武汉光迅科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114597763A(43)申请公布日2022.06.07

(21)申请号202210491685.9

(22)申请日2022.05.07

(71)申请人武汉光迅科技股份有限公司

地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院

路88号

(72)发明人赵建宜史正康何伟奇岳玉环

(74)专利代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341

专利代理师何婷

(51)Int.CI.

HO1SHO1S

HO1S

5/024(2006.01)

5/22(2006.01)

5/02(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图9页

(54)发明名称

一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制

作方法

(57)摘要

CN114597763A本发明公开了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层，具体的：激光器的脊波导位于其出光的轴向上，在脊波导的两侧沟道中分别设置贯穿所有功能层直至联通至衬底的第一隔热凹槽，且脊波导下方的至少一个功能层被挖空形成空洞隔热区域；其中，所述空洞隔热区域是通过在脊柱两侧刻蚀出至少一对第二隔热凹槽之后，腐蚀穿一对第二隔热凹槽之间的至少一个功能层形成；并且，所述空洞隔热区域的两侧与所述第一隔热凹槽相邻。本发明避免了芯

CN114597763A

CN114597763A权利要求书1/2页

2

1.一种新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，包括衬底(1)和依次生长在衬底(1)之上的多个功能层(2),具体的：

激光器的脊波导位于其出光的轴向上，在脊波导的两侧沟道中分别设置贯穿所有功能层(2)直至联通至衬底(1)的第一隔热凹槽(3),且脊波导下方的至少一个功能层(2)被挖空形成空洞隔热区域(4);

其中，所述空洞隔热区域(4)是通过在脊柱两侧刻蚀出至少一对第二隔热凹槽(5)之后，腐蚀穿一对第二隔热凹槽(5)之间的至少一个功能层(2)形成；并且，所述空洞隔热区域(4)的两侧与所述第一隔热凹槽(3)相邻。

2.如权利要求1所述的新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，所述第二隔热凹槽(5)为所述脊波导中，位于所述脊柱两侧的沟道的部分区域，在向衬底(1)方向进一步刻蚀形成；并且，所述第二隔热凹槽(5)与所述第一隔热凹槽(3)平行设置，两者之间间隔有多个悬浮与空洞隔热区域(4)上的功能层。

3.如权利要求1所述的新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，在第一隔热凹槽(3)内壁生长有兼具阻腐与支撑功能的支撑阻腐结构(6),所述空洞隔热区域(4)的两侧与所述第一隔热凹槽(3)相邻，并且，两者之间隔着所述支撑阻腐结构(6)。

4.如权利要求3所述的新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，所述支撑阻腐结构(6)由与第一隔热凹槽(3)相邻的一层作为最外层到内层依次包括第一层溅射金属Ti和Pt,第二层通过CVD的方式沉积氧化膜。

5.如权利要求1所述的新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，在包含多对所述第二隔热凹槽(5)时，其中，每一对第二隔热凹槽(5)沿着激光器轴向延伸方向与相邻一对第二隔热凹槽(5)的间隔距离正好与一个光栅区域长度一致，则多对第二隔热凹槽(5)构成的多个间隔距离形成于周期性光栅区域相一致的周期结构；其中，所述每一对第二隔热凹槽(5)沿着激光器轴向延伸方向与相邻一对第二隔热凹槽(5)的间隔距离中保留有相应在第二隔热凹槽腐蚀掉的各功能层。

6.如权利要求1所述的新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，所述依次生长在衬底(1)之上的多个功能层(2)包括下包层(21)、架空层(22)、下腐蚀停止层(23)、下牺牲层(24)、上腐蚀停止层(25)、上牺牲层(26)、有源层(27)和波导层(28)中的至少一层。

7.如权利要求1所述的新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，还包括电阻(7)、电极(8)两部分，每个电阻(7)均在介电层上方溅射形成在激光器的脊波导上，每个电阻(7)均连接一组电极。

8.一种新型结构的热调谐激光器芯片制作方法，其特征在于，预先设置生长分层衬底(1),方法包括：

在所述分层衬底(1)上刻蚀出脊波导结构，其中，所述脊波导结构的沟道刻蚀至有源层

(27);

通过光刻绘制相应的第一隔热凹槽(3)和第二隔热凹槽(5)所在位置，并通过刻蚀和/或湿法腐蚀得到第一隔热凹槽(3)和