CN118969780A 半导体结构及半导体结构的制作方法 （上海大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118969780A

(43)申请公布日2024.11.15

(21)申请号202410872697.5

(22)申请日2024.07.01

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人赵婷婷原理张建华

(74)专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务

所(普通合伙)31343

专利代理师李晴

(51)Int.Cl.

H01L23/64(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图9页

(54)发明名称

半导体结构及半导体结构的制作方法

(57)摘要

本发明提供了一种半导体结构，包括：基板，

包括若干器件区；位于基板上的沟道层以及与沟

道层重叠的第一电互连层、第二电互连层和第三

电互连层，沟道层包括位于各器件区上的沟道结

构，第一电互连层包括位于各器件区上的漏电

极，第二电互连层包括位于各器件区上的源电

极，第三电互连层包括位于各器件区上的栅电

极，各沟道结构与漏电极和源电极电连接，且各

沟道结构与栅电极相互分立；位于各器件区上的

电解质层，电解质层位于漏电极表面、沟道结构

表面、源电极表面以及栅电极表面，不同器件区

的电解质层之间相互隔离。本发明提供的技术方

A案解决了突触晶体管阵列内串扰的问题。

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CN118969780A权利要求书1/2页

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基板，包括若干器件区；

位于所述基板上的沟道层以及与所述沟道层重叠的第一电互连层、第二电互连层和第

三电互连层，所述沟道层包括位于各所述器件区上的沟道结构，所述第一电互连层包括位

于各所述器件区上的漏电极，所述第二电互连层包括位于各所述器件区上的源电极，所述

第三电互连层包括位于各所述器件区上的栅电极，各所述沟道结构与所述漏电极和源电极

电连接，且各所述沟道结构与所述栅电极相互分立；

位于各所述器件区上的电解质层，所述电解质层位于所述漏电极表面、所述沟道结构

表面、所述源电极表面以及所述栅电极表面，不同器件区的所述电解质层之间相互隔离。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各所述漏电极位于所述基板上；各所

述源电极与各所述栅电极位于所述漏电极上，且各所述源电极和各所述栅电极，同所述栅

电极相互分立；各所述沟道结构位于对应的所述各所述源电极以及各栅电极上。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘层和保护层，所述绝缘层

位于所述漏电极与所述栅电极、所述源电极及所述沟道结构之间，且暴露出所述漏电极的

表面，所述保护层位于所述绝缘层、所述栅电极、所述源电极以及所述沟道结构上，且暴露

出所述漏电极、所述栅电极、所述源电极以及所述沟道结构的表面。

4.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括若干器件区；

在所述基板上形成沟道层以及与所述沟道层重叠的第一电互连层、第二电互连层和第

三电互连层，所述沟道层包括位于各所述器件区上的沟道结构，所述第一电互连层包括位

于各所述器件区上的漏电极，所述第二电互连层包括位于各所述器件区上的源电极，所述

第三电互连层包括位于各所述器件区上的栅电极，各所述沟道结构与所述漏电极和源电极

电连接，且各所述沟道结构与所述栅电极相互分立；

在各所述器件区上形成电解质层，所述电解质层位于所述漏电极表面、所述沟道结构

表面、所述源电极表面以及所述栅电极表面，不同器件区的所述电解质层之间相互隔离。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在各所述器件区上形成电

解