CN114678266A 一种显示面板的制作方法及显示面板 （维信诺科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114678266A(43)申请公布日2022.06.28

(21)申请号202210287388.2

(22)申请日2022.03.22

(71)申请人维信诺科技股份有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山开发区夏

东街658号1801室

(72)发明人黄志弘黄冠儒朱正勇

(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659

专利代理师刘茜阳

(51)Int.CI.

HO1L21/268(2006.01)

HO1L21/324(2006.01)

HO1L21/77(2017.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种显示面板的制作方法及显示面板

CN114678266

CN114678266A

(57)摘要

本发明公开了一种显示面板的制作方法及显示面板。显示面板的制作方法包括：提供一基板；在所述基板上形成非晶硅层；对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化。本发明实施例提高了显示面板的显示均匀性。

S110

提供一基板

S120

在所述基板上形成非晶硅层

对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化

CN114678266A权利要求书1/2页

2

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成非晶硅层；

对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化，包括：

对每一所述驱动晶体管对应的非晶硅区域进行n次准分子激光退火晶化，且每一所述驱动晶体管对应的非晶硅区域的n次准分子激光退火晶化的n个准分子激光照射位置分别与其他所述驱动晶体管对应的非晶硅区域的n次准分子激光退火晶化的n个准分子激光照射位置一一对应相同，且同一所述驱动晶体管的n个准分子激光照射位置的总覆盖范围覆盖该驱动晶体管对应的非晶硅区域，其中，n为大于或等于2的正整数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

同一所述驱动晶体管对应的非晶硅区域的n次准分子激光退火晶化中至少两次的准分子激光照射位置不同，或者，同一所述驱动晶体管对应的非晶硅区域的n次准分子激光退火晶化的n个准分子激光照射位置均相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化，包括：

对每一所述驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的准分子激光照射位置进行一次准分子激光退火晶化，且每一所述驱动晶体管对应的非晶硅区域的中心位于准分子激光照射光斑的对称线上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化，包括：

对同一行所述驱动晶体管或同一列所述驱动晶体管对应的非晶硅区域采用同一束准分子激光同时进行准分子激光退火晶化。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化之前还包括：

对所述非晶硅层进行图形化，形成与多个所述驱动晶体管分别对应的非晶硅图形区；

所述对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化包括：

对每一所述非晶硅图形区以相同的方式进行准分子激光退火晶化，形成与多个所述驱动晶体管分别对应的多晶硅图形区。

7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述对每一驱动晶体管对应的非晶硅区域以相同的方式进行准分子激光退火晶化之后，还包括：

对晶化后的所述非晶硅层进行图形化，形成与多个所述驱动晶体管分别对应的多晶硅图形区。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在对所述驱动晶体管对应的非晶硅区域进行准分子激光退火晶化的同时对开关晶体管对应的非晶硅区域进行准分子激光退火晶化。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成与多个所述驱动晶体管分别对应

CN114678266A权利要求书2/2页

3

的多晶硅图形区之后，还包括：

对所述多晶硅图区形进行处理